QUIXACE®-LV（ラージバッチEPI成膜装置）
KOKUSAI ELECTRIC の 300mm ラージバッチ EPI 成膜装置。ウェーハのローディングエリアを真空ロードロック構造にし、自然酸化膜と汚染を減らしている。
QUIXACE-LVとは
QUIXACE-LV（クイックエース LV）は、KOKUSAI ELECTRIC の 300mm 対応 ラージバッチ EPI 成膜装置です。同社のコア技術である温度制御、自動搬送、真空・ガス置換、冷却、成膜の技術を結集し、サイクル時間を大きく短縮しました。
最大の特長は、ウェーハのローディングエリアを真空ロードロック構造にしたことです。ウェーハを大気から遮断して反応炉へ送り込めるため、エピタキシャル成長の品質を左右する自然酸化膜と汚染を大幅に減らし、より高品質な成膜ができます。
ロット処理能力は同社比で最大 1.25 倍で、深溝形状への均一な成膜、低温での高精度・高品質な成膜を特長とします。ヘルスチェック機能もオプションで用意しています。
主な特長
- •真空ロードロック構造のローディングエリア
- •自然酸化膜と汚染を大幅に低減
- •最大 1.25 倍のロット処理（同社比）
- •低温で高精度・高品質な成膜
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 方式 | ラージバッチ縦型（真空ロードロック） |
| 特徴 | 最大 1.25 倍のロット処理（同社比） |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsCentura™ Prime™ Epi | Veeco InstrumentsPropel® GaN MOCVD | Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-LV（ラージバッチEPI成膜装置） |
|---|---|---|---|
| 方式 | 枚葉エピタキシー | 枚葉式 MOCVD | ラージバッチ縦型（真空ロードロック） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | 300 mm |
| 対象膜 | Si・SiGe・埋め込み SiGe／SiP | GaN 系 | — |
| 主要用途 | ロジックの S/D・チャネル、DRAM（HBM）周辺トランジスタ | GaN パワー・5G RF・フォトニクス | — |
1機種だけが掲載している項目（1件）
| 特徴 | — | — | 最大 1.25 倍のロット処理（同社比） |
|---|
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •バッチ式のエピタキシャル成長
- •深溝構造への均一成膜
掲載カテゴリ
QUIXACE-LVは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Kokusai Electric（国際電気）
バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06