Intrepid® ES

等温の反応炉と閉ループ制御を持つ ASM の先端エピ装置。CMOS のチャネル層などに使う。

Intrepid ESとは

Intrepid は、ASM の先端向けのエピタキシャル成長装置です。ウェーハを等温の反応炉で処理するため、ウェーハ面内とウェーハ間で一貫した温度制御ができます。

新しい閉ループの反応炉制御技術で、ウェーハ内とウェーハ間のプロセス性能を最適にします。ランプを個別に制御する精密な加熱、一体型の低容積チャンバー、真空気密の高速ガス分配で、優れた膜特性と少ない金属汚染を実現します。

クリーニングまでに複数のウェーハを処理でき、業界最高のスループットを持ちます。低温でも高い成膜速度と制御性があります。ASM の XP クラスターに最大 4 つのモジュールを搭載でき、Previum プリクリーンモジュールでエピ前の表面処理も行えます。CMOS トランジスタのチャネル層などに使われます。

主な特長

•等温反応炉
•閉ループの反応炉制御
•Previum プリクリーンと統合可能
•最大 4 モジュール

主な仕様

方式	エピタキシャル成長（等温反応炉・閉ループ制御）
構成	XP クラスターに最大 4 モジュール
前処理	Previum プリクリーンを統合可能

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsCentura™ Prime™ Epi	Applied MaterialsCentura® Epi 200mm	Applied MaterialsCentura™ Xtera™ Epi	Veeco InstrumentsPropel® GaN MOCVD	Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-LV（ラージバッチEPI成膜装置）	ASMインターナショナルEpsilon® 2000	ASMインターナショナルIntrepid® ES
方式	枚葉エピタキシー	—	選択エピタキシャル成長	枚葉式 MOCVD	ラージバッチ縦型（真空ロードロック）	ランプ加熱のエピタキシャル CVD	エピタキシャル成長（等温反応炉・閉ループ制御）
主要用途	ロジックの S/D・チャネル、DRAM（HBM）周辺トランジスタ	—	GAA ロジック・縦型 FinFET メモリ	GaN パワー・5G RF・フォトニクス	—	トランジスタ用ドープ Si・ウェーハ製造のブランケットエピ・BiCMOS	—
対応ウェハ径	300 mm	200 mm	—	—	300 mm	—	—
特徴	—	—	最小のプロセス容積・リアルタイムのウェーハ温度制御	—	最大 1.25 倍のロット処理（同社比）	ベルヌーイワンドの非接触搬送・Silcore 原料・PowerFill	—
対象膜	Si・SiGe・埋め込み SiGe／SiP	—	—	GaN 系	—	—	—
構成	—	最大 3 プロセスチャンバー・Siconi プリクリーン搭載可	—	—	—	—	XP クラスターに最大 4 モジュール