Centura™ Prime™ Epi
Applied Materials の 300mm 枚葉エピタキシャル成長装置。ロジック・ICAPS 向けに加え、DRAM 周辺トランジスタ向けの構成（エピ 4 室＋プリクリーン 2 室）がある。
Centura Prime Epiとは
Centura Prime Epi は、Applied Materials の 300mm 対応 枚葉式エピタキシャル成長装置です。約20年にわたり業界をリードしてきた Centura RP Epi の中核技術を受け継ぎ、構成の柔軟性とプロセス能力を高めました。ロジックでは finFET と GAA のソース／ドレイン、チャネル、コンタクトを、そのほかメモリ、パワー、アナログ、MEMS に用いられます。
AI 向けに HBM などの先端メモリの需要が急増し、DRAM の周辺トランジスタにはひずみエンジニアリングやしきい値制御のため、SiGe・埋め込み SiGe・埋め込み SiP といったエピ材料が求められています。
これに向けた DRAM 向け構成は、7 面のメインフレームにエピ 4 室＋プリクリーン（Clarion）2 室、シングルウェーハのロードロック、デュアルブレードのロボットを組み合わせ、高い生産性と小さなフットプリント、低いエネルギー使用量を両立しています。
主な特長
- •Centura RP Epi の技術を継いだ枚葉エピ
- •DRAM 向け構成：エピ 4 室＋Clarion プリクリーン 2 室
- •デュアルブレードロボットとシングルウェーハ ロードロック
- •小さなフットプリントと低エネルギー
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 方式 | 枚葉エピタキシー |
| 対象膜 | Si・SiGe・埋め込み SiGe／SiP |
| 主要用途 | ロジックの S/D・チャネル、DRAM（HBM）周辺トランジスタ |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsCentura™ Prime™ Epi | Veeco InstrumentsPropel® GaN MOCVD | Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-LV（ラージバッチEPI成膜装置） |
|---|---|---|---|
| 方式 | 枚葉エピタキシー | 枚葉式 MOCVD | ラージバッチ縦型（真空ロードロック） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | 300 mm |
| 対象膜 | Si・SiGe・埋め込み SiGe／SiP | GaN 系 | — |
| 主要用途 | ロジックの S/D・チャネル、DRAM（HBM）周辺トランジスタ | GaN パワー・5G RF・フォトニクス | — |
1機種だけが掲載している項目（1件）
| 特徴 | — | — | 最大 1.25 倍のロット処理（同社比） |
|---|
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •finFET・GAA のソース／ドレイン、チャネル、コンタクト
- •DRAM（HBM）周辺トランジスタの SiGe・SiP
- •パワー・アナログ・MEMS
掲載カテゴリ
Centura Prime Epiは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。