DUV（Deep Ultraviolet）曝光機是以ArF（193nm）或KrF（248nm）雷射為光源的曝光機。透過結合浸潤式曝光（Immersion）技術與多重圖案化，在7nm節點以後的製程中也有使用。成本比EUV設備低、可靠度高，目前仍作為量產的主力設備廣泛使用。
艾司摩爾的Twinscan NXT、尼康的NSR-S635E等是代表性機種。結合DUV與EUV的混合曝光策略，在目前的先進晶圓廠中相當普遍。
DUV透過結合ArF浸潤式（ArFi）與多重圖案化（SADP/SAQP），也能對應20nm以下的層。即使導入EUV之後，在占曝光步驟大部分的非關鍵層，以及成熟節點的邏輯、類比、功率半導體中，仍持續作為主力使用。
設備價格僅為EUV的數分之一，二手市場也很充足，因此具有優異的成本效益。依各層的精度要求分別使用ArF（193nm）與KrF（248nm），在先進晶圓廠中與EUV搭配的混合運用相當普遍。艾司摩爾、尼康、佳能為主要廠商。