ECD（Electrochemical Deposition：電化學沉積、電鍍）是在電鍍液中以晶圓為陰極通電，使金屬離子還原析出以形成金屬膜的薄膜沉積技術。在半導體前段製程中，它是銅（Cu）導線鑲嵌（damascene）製程中填充溝槽與通孔不可或缺的技術，也稱為 ECP（Electrochemical Plating）。能以低成本，在 CVD／PVD 難以處理的高深寬比結構中實現緻密的銅填充。
銅鑲嵌製程的流程為：在絕緣膜上形成溝槽，沉積阻障金屬（TaN／Ta）與以 PVD 形成的銅晶種層後，以 ECD 將銅填入溝槽，再以 CMP 去除多餘的銅。ECD 的關鍵在於添加於電鍍液中的加速劑、抑制劑、平整劑等有機添加劑，它們能促進「由下而上填充（bottom-up fill）」，實現無空洞、無接縫的填充。
隨著微縮推進，溝槽變得更窄更深，晶種層的覆蓋也越加困難，因此添加劑設計、電流波形（脈衝電鍍）與鍍液管理日益重要。在先進節點中，與鈷或釕的襯墊層（liner）／電鍍組合、TSV（矽穿孔）的深孔銅填充等，ECD 的應用範圍持續擴大。
ECD 設備的主要供應商為荏原製作所（EBARA）、應用材料（Applied Materials）、科林研發（Lam Research），其中荏原在 CMP 之外也於此領域具備強項。左右導線電阻的銅填充品質，直接影響元件的運作速度與可靠度（抗電遷移能力），因此 ECD 被定位為 BEOL（後段金屬連線製程）的核心技術。