最後更新:2026年10月23日PVD 設備

Endura Amber PVD的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・PVD 設備

結合低溫沉積與高溫銅回焊,從底部以銅填滿極小通孔的 PVD。面向 20nm 以後的導線。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Endura Amber PVD 是應用材料的銅導線用 PVD 設備。製作銅導線時,要在孔內沉積阻障層與作為電鍍基底的銅晶種層;但到了 2X nm 世代之後,即使是最佳化的阻障層/晶種層,孔也變得過細而難以電鍍。

Amber 採用將低溫沉積與高溫銅回焊(再流動)結合為一體的方式,從底部以銅填滿極小通孔。用以取代舊有的 EnCoRe II RFX 銅晶種技術。

在 1X nm 世代,銅會在孔口突出(overhang),傳統 PVD 無法在側壁與底部形成足夠的晶種層。透過回焊由底部填充,使後續電鍍變得容易。

主要規格

方式PVD 銅沉積+熱回焊
對象世代2X nm 以後(含 1X nm)
主要用途銅導線的晶種層・由下而上填充

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

低溫沉積+高溫回焊
極小通孔的由下而上填充
EnCoRe II RFX 的後繼技術

主要用途

  • 先進節點的銅導線

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials Endura Amber