熱壓接合（TCB：Thermo-Compression Bonding）是同時施加熱與壓力，使晶粒的電極（凸塊）與基板或下層晶粒的電極形成金屬間接合的先進封裝構裝技術。與傳統的回焊（整批加熱熔融）方式不同，其特點是將1顆或少數幾顆晶粒一邊高精度對位、一邊依序接合。
適合接合微細的銅柱凸塊與微凸塊（間距10～40μm），在HBM（高頻寬記憶體）的多層晶粒堆疊、小晶片構裝，以及2.5D／3D封裝的高精度、高密度連接中，採用日益擴大。有時要求接合精度的位置偏移量在1μm左右，可實現比回焊方式更高的構裝精度。
在設備方面，有將晶粒整體一次全面加熱的整體接合（gang bonding）方式，以及以雷射或脈衝加熱進行局部短時間加熱的方式；後者能抑制熱對下層造成的影響（翹曲），因此適合接合已薄化的堆疊晶粒。
主要設備廠商為ASM Pacific Technology（ASMPT）與Besi。隨著HBM4以後的高層數堆疊記憶體，以及先進邏輯小晶片構裝的普及，對TCB設備高速化與高精度化的需求正持續擴大。