高能量離子佈植機是什麼

高能量離子佈植機是將離子加速至 MeV 等級並打入基板深處的設備。以直線加速器（linac）等方式加速，在數 μm 深處形成倒退型井（retrograde well）或埋入層。代表性用途有 CMOS 影像感測器的光二極體隔離、提升閂鎖效應耐受性，以及功率元件的深層雜質層形成。相反地，在製作極淺接面的低能量佈植中，降低加速電壓會使射束電流難以確保，這是另一種難題，設備構成也依目的而有所區分。