Centura® Etch

シリコン・メタル・絶縁膜をエッチングする Applied Materials の枚葉マルチチャンバー装置。150／200mm 向けと、200／300mm 向けの Centura AP がある。

Centura Etchとは

Centura Etch は、シリコン・メタル・絶縁膜のエッチングを高い生産性で行う Applied Materials の枚葉マルチチャンバー装置です。ゲート、素子分離トレンチ、高アスペクト比コンタクト、配線層の金属や絶縁膜のどれでも、CD（寸法）を正確かつ均一に制御することが歩留まりの鍵になります。

150mm／200mm 向けに設計されたシステムは、110:1 未満の高アスペクト比エッチングや、ITO・SiC・InGaAlP・GaAs・GaN など新材料のエッチングに対応し、パワーデバイスや LED を含む More than Moore 用途を支えています。Centura と Centura AP のメインフレームは最大 4 つのプロセスチャンバーで連続処理ができます。

150／200mm の Centura DPS DTM は DRIE で側壁の平滑さとトレンチ形状を制御し、Centura DPS Plus はメタルエッチの業界標準とされています。200／300mm の Centura AP はポリ・メタル・酸化膜・DRIE のエッチングに対応し、III-V 材料を含む多様な基板の搬送に配慮した機能を備えます。

主な特長

•最大 4 プロセスチャンバーの枚葉マルチチャンバー構成
•アスペクト比 110:1 未満の高アスペクト比エッチング
•SiC・GaN・GaAs・ITO など新材料に対応
•EyeD 全スペクトル終点検出

主な仕様

対応ウェハ径	150／200 mm（Centura AP は 200／300 mm）
方式	枚葉・マルチチャンバー（最大 4 チャンバー）
対象	ポリSi・メタル・酸化膜・DRIE
主要用途	パワー・MEMS・化合物半導体などの成熟ノード

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	東京エレクトロン（TEL）Tactras™	Lam ResearchKiyo®（コンダクタエッチング）	Applied MaterialsCentura® Etch
方式	反応性イオンエッチング（RIE）	反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応	枚葉・マルチチャンバー（最大 4 チャンバー）
主要用途	コンダクタ・絶縁膜エッチング	High-k/メタルゲート・マルチパターニング	パワー・MEMS・化合物半導体などの成熟ノード
対応ウェハ径	300 mm	—	150／200 mm（Centura AP は 200／300 mm）

1機種だけが掲載している項目（3件）

チャンバー構成	最大 6 チャンバー（水平対向設計）	—	—
主な技術	—	Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御）	—
対象	—	—	ポリSi・メタル・酸化膜・DRIE

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。