Producer® Selectra® Etch

ラジカル系の化学反応で、絶縁膜・金属・半導体膜を原子レベルの精度と高い選択比で除去する Applied Materials の選択エッチング装置。

Producer Selectra Etchとは

Producer Selectra Etch は、Applied Materials の選択エッチング装置です。目的の材料だけを、周囲の1種類以上の膜に対して非常に高い選択比で除去できます。微細化と高アスペクト比化が進むなかで、選択比が足りないと材料の取り残しや CD の拡大、ラインベンディングやパターン倒壊を招き、性能と歩留まりを損ないます。

Selectra はラジカル系の化学反応を使い、絶縁膜・金属膜・半導体膜を原子レベルの精度で、選択比を調整しながら除去します。これにより先端 FinFET の原子レベルのエッチング制御、3D NAND の均一なリセス、高アスペクト比の DRAM 構造のダメージフリー洗浄を可能にします。

たとえば従来の工程では、3D NAND の積層の上部ほどタングステンが深くリセスされる、DRAM の円筒キャパシタでウェットエッチが全層を広げてしまう、といった問題がありました。Selectra はこうした課題を解決し、GAA 構造への移行も支えています。

主な特長

•ラジカルベースの化学反応による等方性の選択エッチング
•絶縁膜・金属・半導体膜の選択比を調整可能
•原子レベルの精度で高アスペクト比構造を加工
•Producer プラットフォーム

主な仕様

方式	ラジカルベースの選択エッチング（等方性）
対象	絶縁膜・金属膜・半導体膜
主要用途	FinFET・GAA・3D NAND のリセス・DRAM の高アスペクト比構造

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	東京エレクトロン（TEL）Tactras™	Lam ResearchFlex®（誘電体エッチング）	Applied MaterialsProducer® Selectra® Etch
方式	反応性イオンエッチング（RIE）	RIE・プラズマ ALE・極低温エッチング	ラジカルベースの選択エッチング（等方性）
主要用途	マスク／絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜	Low-k デュアルダマシン・SAC・キャパシタ・3D NAND 高アスペクト比ホール	FinFET・GAA・3D NAND のリセス・DRAM の高アスペクト比構造

1機種だけが掲載している項目（5件）

対応ウェハ径	300 mm	—	—
チャンバー構成	最大 6 チャンバー（水平対向設計）	—	—
主な技術	—	マルチ周波数閉じ込めプラズマ・AMMP（混合モードパルス）	—
シリーズ構成	—	Exelan Flex／Flex45／Flex D・E・F・G・H シリーズ	—
対象	—	—	絶縁膜・金属膜・半導体膜