XP8 QCM 是 ASM 的高產能 300mm 電漿 ALD(PEALD)設備。最多可搭載 4 個四腔模組(QCM),以 16 個反應腔在小佔地面積下進行量產。
支援包含多重圖案化用低溫間隔層在內的多種介電膜 PEALD。以獨立的小容積反應腔有效利用氣體,並透過反應腔間與腔體間的匹配提高晶圓間的再現性。
用於 SiO 襯墊層、硬遮罩、間隔層、以間隔層進行的多重圖案化、犧牲層與永久層的間隙填充,以及 CMOS 影像感測器以 TiO 進行的間隙填充。
最多搭載 4 個四腔模組、共 16 個反應腔的 ASM 高產能 PEALD 設備。
XP8 QCM 是 ASM 的高產能 300mm 電漿 ALD(PEALD)設備。最多可搭載 4 個四腔模組(QCM),以 16 個反應腔在小佔地面積下進行量產。
支援包含多重圖案化用低溫間隔層在內的多種介電膜 PEALD。以獨立的小容積反應腔有效利用氣體,並透過反應腔間與腔體間的匹配提高晶圓間的再現性。
用於 SiO 襯墊層、硬遮罩、間隔層、以間隔層進行的多重圖案化、犧牲層與永久層的間隙填充,以及 CMOS 影像感測器以 TiO 進行的間隙填充。
| 方式 | 電漿 ALD(PEALD) |
|---|---|
| 構成 | 最多 4 個 QCM・16 個反應腔 |
| 主要用途 | SiO 襯墊層・硬遮罩・間隔層・CIS 的 TiO 間隙填充 |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。
ASM International(總部:荷蘭)