最後更新:2026年10月23日功率半導體

M-600/6000 系列的特點與規格

日立高新技術(Hitachi High-Tech)・功率半導體

針對功率半導體矽加工的蝕刻設備。對應 150mm・200mm,以低溫蝕刻與 TM 偏壓形成平滑的側壁。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

M-600/6000 系列是日立高新技術(Hitachi High-Tech)的導體蝕刻設備。可對應用於數位行動裝置、白色家電、汽車、鐵路等的功率半導體矽加工。

除了微波 ECR 方式的高密度電漿之外,藉由使用低溫蝕刻技術與 TM(Time Modulation)偏壓技術,可採用沉積性低的潔淨製程,實現平滑的側壁形狀與高量產性。

對應 150mm 與 200mm 晶圓,最多可搭載 2 個蝕刻腔體與 2 個後處理腔體。

主要規格

方式微波 ECR 電漿・低溫蝕刻・TM 偏壓
對應晶圓尺寸150/200 mm
設備組成最多 2 個蝕刻+2 個後處理腔體

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

微波 ECR 高密度電漿
低溫蝕刻・TM 偏壓
對應 150/200mm

主要用途

  • 功率半導體的矽溝槽加工

製造商

日立高新技術(Hitachi High-Tech)(總部:日本)

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資料來源

  1. 日立高新技術(Hitachi High-Tech)官方產品頁面:M-600 6000