M-600／6000 シリーズ（コンダクターエッチング装置）

パワー半導体のシリコン加工向けのエッチング装置。150mm・200mm に対応し、低温エッチングと TM バイアスで滑らかな側壁を作る。

M-600／6000 シリーズとは

M-600／6000 シリーズは、日立ハイテクのコンダクターエッチング装置です。デジタルモバイル機器、白物家電、自動車、鉄道などに使われるパワー半導体のシリコン加工に対応します。

マイクロ波 ECR 方式の高密度プラズマに加え、低温エッチング技術と TM（Time Modulation）バイアス技術を使うことで、堆積性の低いクリーンなプロセスを採用でき、滑らかな側壁形状と高い量産性を実現します。

150mm と 200mm のウェーハに対応し、最大 2 つのエッチングチャンバと 2 つの後処理チャンバを搭載できます。

方式	マイクロ波 ECR プラズマ・低温エッチング・TM バイアス
対応ウェハ径	150／200 mm
装置構成	最大 2 エッチング＋2 後処理チャンバ

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

M-600／6000 シリーズは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

パワー半導体製造装置は、IGBT・MOSFET・SBD・GaN HEMT・SiC MOSFETなどのパワーデバイスを製造する装置群で、電力変換の効率・耐圧・耐熱性能を決定します。

世界をリードする計測・検査技術のパイオニア。電子顕微鏡技術を核とした「見る・測る・分析する」の総合力で、2nm/3nm世代の先端半導体製造をサポート。