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CONFERENCE

電子材料研究討論会 2026(電子材料研究討論会)

日本セラミックス協会 電子材料部会が主催する、電子セラミックス材料を扱う会議。

01開催概要


正式名称
電子材料研究討論会
主催
日本セラミックス協会 電子材料部会
次回の会期
2026年11月26日〜11月27日(金)(開幕まであと29日)
開催地
名古屋・名古屋市中小企業振興会館(吹上ホール)
例年の開催
11月頃・日本
分野
材料・物性
格付け
国内の学会日本の日本セラミックス協会 電子材料部会が主催する会議のため、国内の学会としています。格付けの決め方
公式サイト
www.ceramic.or.jp(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02電子材料研究討論会はどんな学会か


電子材料研究討論会は、日本セラミックス協会 電子材料部会が主催する、電子セラミックス材料を扱う会議です。2026年は11月26日から11月27日まで、名古屋で開かれます。会場は名古屋市中小企業振興会館(吹上ホール)です。

誘電体・圧電体・半導体セラミックスなどの電子材料の研究が発表される討論会です。

03注目の技術


電子材料研究討論会でよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • High-k誘電体

    High-kゲート誘電体(High-k Gate Dielectric)は、従来のシリコン酸化膜(SiO₂、比誘電率k≈3.9)に代わり、より高い誘電率(k>10)を持つ材料をゲート絶縁膜として使用する技術です。

  • 圧電効果(ピエゾ効果)

    圧電効果とは、ある種の結晶に力を加えると電圧が現れ、逆に電圧をかけると変形する性質のことです。

  • 強誘電体ハフニウム酸化物(HZO)

    強誘電体ハフニウム酸化物(Ferroelectric Hafnium Oxide)とは、酸化ハフニウム(HfO₂)に酸化ジルコニウム(ZrO₂)などをドープすることで生じる強誘電性を持つ薄膜材料で、一般にHZO(Hafnium Zirconium Oxide)と呼ばれます。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。