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CONFERENCE

ISCSI(半導体界面制御国際シンポジウム)

ISCSI 実行委員会が主催する、半導体の界面の制御を扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
主催
ISCSI 実行委員会
次回の会期
未発表(例年11月頃)
開催地
日本
例年の開催
11月頃・日本
分野
デバイス・プロセス/材料・物性
格付け
専門の国際会議半導体の界面の制御という特定のテーマに絞って開かれている国際会議のため、専門の国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
iscsi.sakura.ne.jp(2026/10/24 確認)

02ISCSIはどんな学会か


ISCSIは、ISCSI 実行委員会が主催する、半導体の界面の制御を扱う国際会議です。第10回は2025年 横浜。例年11月ごろに開かれます。

半導体と絶縁膜・金属の界面の物理と制御の研究が発表される、日本で数年おきに開かれる会議です。

03注目の技術


ISCSIでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • High-k誘電体

    High-kゲート誘電体(High-k Gate Dielectric)は、従来のシリコン酸化膜(SiO₂、比誘電率k≈3.9)に代わり、より高い誘電率(k>10)を持つ材料をゲート絶縁膜として使用する技術です。

  • ゲート酸化膜

    ゲート酸化膜(ゲートさんかまく)とは、MOSFETのゲート電極とチャネル(半導体)の間に挟まれた絶縁膜のことです。

  • 強誘電体ハフニウム酸化物(HZO)

    強誘電体ハフニウム酸化物(Ferroelectric Hafnium Oxide)とは、酸化ハフニウム(HfO₂)に酸化ジルコニウム(ZrO₂)などをドープすることで生じる強誘電性を持つ薄膜材料で、一般にHZO(Hafnium Zirconium Oxide)と呼ばれます。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。