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CONFERENCE

EMS 2027(電子材料シンポジウム)

電子材料シンポジウム運営委員会が主催する、電子材料と化合物半導体を扱う会議。

01開催概要


正式名称
Electronic Materials Symposium
主催
電子材料シンポジウム運営委員会
次回の会期
2027年10月13日〜10月15日(金)(開幕まであと350日)
開催地
橿原(奈良)・グランドメルキュール奈良橿原
例年の開催
10月頃・日本(奈良)
分野
デバイス・プロセス/材料・物性
格付け
国内の学会日本の電子材料シンポジウム運営委員会が主催する会議のため、国内の学会としています。格付けの決め方
公式サイト
ems.jpn.org(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02EMSはどんな学会か


EMSは、電子材料シンポジウム運営委員会が主催する、電子材料と化合物半導体を扱う会議です。2027年は10月13日から10月15日まで、橿原(奈良)で開かれます。会場はグランドメルキュール奈良橿原です。

化合物半導体・ワイドバンドギャップ半導体・酸化物などの結晶成長とデバイスの研究を、合宿形式で議論するシンポジウムです。

03注目の技術


EMSでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • 化合物半導体

    化合物半導体とは、周期表の2種類以上の元素を組み合わせて作られた半導体材料の総称です。

  • GaAs(ヒ化ガリウム)

    GaAs(ガリウムヒ素、ヒ化ガリウム)とは、ガリウム(Ga)とヒ素(As)からなる13-15族(III-V族)化合物半導体です。

  • InP(リン化インジウム)

    InP(インジウムリン、リン化インジウム)とは、インジウム(In)とリン(P)からなるIII-V族化合物半導体です。

  • MOCVD

    MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition/有機金属化学気相成長)は、有機金属化合物(トリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、ジメチルヒドラジンなど)と水素化物(NH₃、AsH₃、PH₃など)を原料ガスとして使用し、基板(ウェハ)上にIII-V族化合物半導体(GaN・GaAs・InP・AlGaInPなど)の高品質なエピタキシャル薄膜を成長させるCVD技術の一種です。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。