SEMICON Japan 2026(12/9〜11)にあわせて、出展企業さまの広告掲載のご相談を受け付けています。SEMICON Japan 2026 広告募集詳しく見る

CONFERENCE

IMS 2027(IEEE国際マイクロ波シンポジウム)

IEEE Microwave Theory and Technology Societyが主催する、マイクロ波・ミリ波の回路とデバイスを扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
IEEE MTT-S International Microwave Symposium
主催
IEEE Microwave Theory and Technology Society
次回の会期
2027年5月23日〜5月28日(金)(開幕まであと207日)
開催地
サンアントニオ(米国)・Henry B. Gonzalez Convention Center
例年の開催
5月頃・米国
分野
回路・設計(EDA)
格付け
主要国際会議IEEE Microwave Theory and Technology Societyが主催し、マイクロ波・ミリ波の回路とデバイスの分野で継続して開かれている国際会議のため、主要国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
ims-ieee.org(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02IMSはどんな学会か


IMSは、IEEE Microwave Theory and Technology Societyが主催する、マイクロ波・ミリ波の回路とデバイスを扱う国際会議です。2027年は5月23日から5月28日まで、サンアントニオ(米国)で開かれます。会場はHenry B. Gonzalez Convention Centerです。

高周波の回路、アンテナ、GaN・SiGeなどの高周波デバイス、無線通信やレーダーのシステムの発表と、大規模な展示会が併設されます。

03注目の技術


IMSでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • RF半導体(高周波半導体)

    RF半導体(Radio Frequency Semiconductor:高周波半導体)は、無線通信(スマートフォン・5G/6G基地局・Wi-Fi・衛星通信・レーダー)で使用されるGHz帯〜THz帯の高周波信号を増幅・送受信・処理する半導体デバイスの総称です。

  • HEMT(高電子移動度トランジスタ)

    HEMT(高電子移動度トランジスタ、High Electron Mobility Transistor)とは、異なるバンドギャップを持つ化合物半導体のヘテロ接合界面に生じる2次元電子ガス(2DEG)を利用した高速FETです。

  • SiGe(シリコンゲルマニウム)

    SiGe(シリコンゲルマニウム)とは、シリコンとゲルマニウムを混ぜ合わせた結晶の半導体材料です。

  • InP(リン化インジウム)

    InP(インジウムリン、リン化インジウム)とは、インジウム(In)とリン(P)からなるIII-V族化合物半導体です。

04同じ分野の学会

学会一覧へ →

※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。