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CONFERENCE

ISSCC 2027(国際固体素子回路会議)

プロセッサ・メモリ・無線などの回路の性能記録が発表される、集積回路分野の最高峰の国際会議。

01開催概要


正式名称
IEEE International Solid-State Circuits Conference
主催
IEEE Solid-State Circuits Society
次回の会期
2027年2月14日〜2月18日(木)(開幕まであと109日)
開催地
サンフランシスコ(米国)・San Francisco Marriott Marquis
例年の開催
2月頃・米国(サンフランシスコ)
分野
回路・設計(EDA)
格付け
分野の最高峰各社がプロセッサ・メモリ・無線回路の性能記録を最初に発表する場で、集積回路分野の中心にあたるため。格付けの決め方
公式サイト
www.isscc.org(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02投稿の日程


募集要項で発表されている締切と通知日です。

日付内容状況
2026年12月1日Late Breaking News締切あと34日

03ISSCCはどんな学会か


ISSCCは、集積回路の設計の成果が発表される国際会議です。毎年2月に米国サンフランシスコで開かれ、プロセッサ、メモリ、AIアクセラレータ、無線・有線通信、アナログ、イメージセンサーなどの回路を扱います。

実際にチップを作って測った結果を発表するのが原則で、各社のメモリの容量や速度、プロセッサの性能や電力効率の記録がここで公開されます。DRAMやHBMの新しい世代の回路の発表も多く、メモリメーカーの技術の進み具合を知る手がかりにもなります。

04注目の技術


ISSCCでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • SRAM(静的RAM)

    SRAM(Static Random-Access Memory:静的RAM)とは、フリップフロップ回路(6つのトランジスタで1ビットを記憶するSRAMセル)によりデータを保持する揮発性メモリです。

  • HBM(高帯域幅メモリ)

    HBM(High Bandwidth Memory)は、複数のDRAMダイをTSV(シリコン貫通電極)で垂直に積層し、広帯域幅・低消費電力のメモリアクセスを実現する高性能3次元メモリ技術です。

  • AIアクセラレータ

    AIアクセラレータとは、機械学習・ディープラーニングの学習(Training)および推論(Inference)処理を高速・省電力で実行するために設計された専用半導体チップの総称です。

  • DRAM(ダイナミックRAM)

    DRAM(Dynamic Random Access Memory)は、コンデンサに電荷を蓄積することで1ビットの情報を記憶する揮発性メモリです。

発表の多い企業

05同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。