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CONFERENCE

VLSI 2027(VLSIシンポジウム)

デバイス技術と回路の両方を扱う国際会議。毎年6月に日本(京都)と米国で交互に開かれる。

01開催概要


正式名称
Symposium on VLSI Technology and Circuits
主催
IEEE Electron Devices Society・IEEE Solid-State Circuits Society・応用物理学会
次回の会期
2027年6月20日〜6月24日(木)(開幕まであと235日)
開催地
京都・リーガロイヤルホテル京都
例年の開催
6月頃・日本(京都)と米国(ホノルル)で交互
分野
デバイス・プロセス/回路・設計(EDA)
格付け
分野の最高峰デバイスと回路の両方で最先端の成果が発表され、IEDM・ISSCCと並んで半導体の研究開発の動きを示す会議であるため。格付けの決め方
公式サイト
www.vlsisymposium.org(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02投稿の日程


募集要項で発表されている締切と通知日です。

日付内容状況
2027年1月25日論文締切あと89日

03VLSIはどんな学会か


VLSIシンポジウムは、デバイス・プロセスの技術(Technology)と回路(Circuits)の2つの部門を持つ国際会議です。毎年6月に開かれ、日本の京都と米国で交互に開催されます。2027年は京都で開かれます。

IEDMがデバイス、ISSCCが回路の最高峰であるのに対し、VLSIシンポジウムは技術と回路を同じ場で議論できるのが特徴です。新しいトランジスタやメモリの試作結果と、それを使った回路の性能が合わせて発表されます。

04注目の技術


VLSIでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • GAA(Gate-All-Around)

    GAA(Gate-All-Around)は、トランジスタのゲート電極がチャネル(電流路)を四方向(全周)から包囲する立体的なトランジスタ構造です。

  • CFET(相補型FET)

    CFET(Complementary FET:相補型電界効果トランジスタ)は、NチャネルFET(NFET)とPチャネルFET(PFET)を垂直方向に積層した3次元トランジスタ構造です。

  • SRAM(静的RAM)

    SRAM(Static Random-Access Memory:静的RAM)とは、フリップフロップ回路(6つのトランジスタで1ビットを記憶するSRAMセル)によりデータを保持する揮発性メモリです。

発表の多い企業

05同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。