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CONFERENCE

GOMACTech 2027(政府向けマイクロ回路応用・重要技術会議)

GOMACTech 運営委員会が主催する、防衛・政府向けのマイクロ回路を扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
Government Microcircuit Applications & Critical Technology Conference
主催
GOMACTech 運営委員会
次回の会期
2027年3月22日〜3月25日(木)(開幕まであと145日)
開催地
パサデナ(米国)・Pasadena Convention Center
例年の開催
3月頃・米国
分野
デバイス・プロセス/回路・設計(EDA)
格付け
専門の国際会議防衛・政府向けのマイクロ回路という特定のテーマに絞って開かれている国際会議のため、専門の国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
www.gomactech.net(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02GOMACTechはどんな学会か


GOMACTechは、GOMACTech 運営委員会が主催する、防衛・政府向けのマイクロ回路を扱う国際会議です。2027年は3月22日から3月25日まで、パサデナ(米国)で開かれます。会場はPasadena Convention Centerです。

米国の政府・防衛向けの集積回路、高周波デバイス、信頼性・セキュリティの技術が発表される会議です。

03注目の技術


GOMACTechでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • RF半導体(高周波半導体)

    RF半導体(Radio Frequency Semiconductor:高周波半導体)は、無線通信(スマートフォン・5G/6G基地局・Wi-Fi・衛星通信・レーダー)で使用されるGHz帯〜THz帯の高周波信号を増幅・送受信・処理する半導体デバイスの総称です。

  • HEMT(高電子移動度トランジスタ)

    HEMT(高電子移動度トランジスタ、High Electron Mobility Transistor)とは、異なるバンドギャップを持つ化合物半導体のヘテロ接合界面に生じる2次元電子ガス(2DEG)を利用した高速FETです。

  • SiGe(シリコンゲルマニウム)

    SiGe(シリコンゲルマニウム)とは、シリコンとゲルマニウムを混ぜ合わせた結晶の半導体材料です。

  • InP(リン化インジウム)

    InP(インジウムリン、リン化インジウム)とは、インジウム(In)とリン(P)からなるIII-V族化合物半導体です。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。