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CONFERENCE

BCICTS(BiCMOS・化合物半導体集積回路技術シンポジウム)

IEEEが主催する、BiCMOS・化合物半導体の集積回路を扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium
主催
IEEE
次回の会期
未発表(例年10月頃)
開催地
米国
例年の開催
10月頃・米国
分野
デバイス・プロセス/回路・設計(EDA)
格付け
主要国際会議IEEEが主催し、BiCMOS・化合物半導体の集積回路の分野で継続して開かれている国際会議のため、主要国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
bcicts.org(2026/10/24 確認)

02BCICTSはどんな学会か


BCICTSは、IEEEが主催する、BiCMOS・化合物半導体の集積回路を扱う国際会議です。2026年は10月 ボストン。例年10月ごろに開かれます。

SiGe BiCMOS、InP・GaN・GaAsなどの化合物半導体を使った高周波・高速回路と、そのデバイス技術が発表されます。

03注目の技術


BCICTSでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • RF半導体(高周波半導体)

    RF半導体(Radio Frequency Semiconductor:高周波半導体)は、無線通信(スマートフォン・5G/6G基地局・Wi-Fi・衛星通信・レーダー)で使用されるGHz帯〜THz帯の高周波信号を増幅・送受信・処理する半導体デバイスの総称です。

  • HEMT(高電子移動度トランジスタ)

    HEMT(高電子移動度トランジスタ、High Electron Mobility Transistor)とは、異なるバンドギャップを持つ化合物半導体のヘテロ接合界面に生じる2次元電子ガス(2DEG)を利用した高速FETです。

  • SiGe(シリコンゲルマニウム)

    SiGe(シリコンゲルマニウム)とは、シリコンとゲルマニウムを混ぜ合わせた結晶の半導体材料です。

  • InP(リン化インジウム)

    InP(インジウムリン、リン化インジウム)とは、インジウム(In)とリン(P)からなるIII-V族化合物半導体です。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。