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CONFERENCE

SPIE Photomask(SPIE フォトマスク技術+EUVリソグラフィ)

SPIE・BACUSが主催する、フォトマスクとEUVリソグラフィを扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography
主催
SPIE・BACUS
次回の会期
未発表(例年9月頃)
開催地
米国
例年の開催
9月頃・米国
分野
リソグラフィ・配線・量産
格付け
主要国際会議SPIE・BACUSが主催し、フォトマスクとEUVリソグラフィの分野で継続して開かれている国際会議のため、主要国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
spie.org(2026/10/24 確認)

02SPIE Photomaskはどんな学会か


SPIE Photomaskは、SPIE・BACUSが主催する、フォトマスクとEUVリソグラフィを扱う国際会議です。米国で毎年秋に開催。例年9月ごろに開かれます。

マスクの描画・検査・修正、EUVマスクとペリクル、マスクの供給体制の研究が発表される、フォトマスク分野の主要な会議です。

03注目の技術


SPIE Photomaskでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • フォトマスク

    フォトマスク(Photomask)は、半導体製造のリソグラフィ工程において、ICの回路パターンを光学的にウェハ上のフォトレジストに転写するための「版下」となる基板です。

  • ペリクル

    ペリクル(Pellicle)とは、フォトマスク(レチクル)の表面をパーティクル(微細粒子)から保護するために貼付する薄い透明膜(メンブレン)とその支持フレームから構成される保護部品です。

  • 電子ビーム描画

    電子ビーム描画装置(E-Beam Mask Writer)は、フォトマスク製造において、電子ビームをマスクブランク上に精密に照射・走査することでパターンを直接描画する装置です。

  • EUV(極紫外線)

    EUV(Extreme Ultraviolet:極端紫外線)とは、波長13.5nmの極短波長光を指し、半導体リソグラフィ(露光)分野において7nm以下の超微細回路パターンを形成するための光源技術として不可欠な存在となっています。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。