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CONFERENCE

MNE(マイクロ・ナノエンジニアリング国際会議)

iMNEs(国際マイクロ・ナノエンジニアリング協会)が主催する、微細加工とナノエンジニアリングを扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
International Conference on Micro and Nano Engineering
主催
iMNEs(国際マイクロ・ナノエンジニアリング協会)
次回の会期
未発表(例年9月頃)
開催地
欧州
例年の開催
9月頃・欧州
分野
リソグラフィ・配線・量産
格付け
主要国際会議iMNEs(国際マイクロ・ナノエンジニアリング協会)が主催し、微細加工とナノエンジニアリングの分野で継続して開かれている国際会議のため、主要国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
mne2027.imnes.org(2026/10/24 確認)

02MNEはどんな学会か


MNEは、iMNEs(国際マイクロ・ナノエンジニアリング協会)が主催する、微細加工とナノエンジニアリングを扱う国際会議です。2026年は9月 インターラーケン(スイス)。例年9月ごろに開かれます。

リソグラフィ、ナノ加工、MEMS、ナノデバイスの研究が発表される、欧州で毎年開かれる会議です。

03注目の技術


MNEでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • EUV(極紫外線)

    EUV(Extreme Ultraviolet:極端紫外線)とは、波長13.5nmの極短波長光を指し、半導体リソグラフィ(露光)分野において7nm以下の超微細回路パターンを形成するための光源技術として不可欠な存在となっています。

  • 電子ビーム描画

    電子ビーム描画装置(E-Beam Mask Writer)は、フォトマスク製造において、電子ビームをマスクブランク上に精密に照射・走査することでパターンを直接描画する装置です。

  • ナノインプリントリソグラフィ(NIL)

    ナノインプリントリソグラフィ(NIL:Nano-Imprint Lithography)は、ナノ構造を刻んだスタンプ(テンプレート)を樹脂(レジスト)に物理的に押し付け、パターンを転写するリソグラフィ技術です。

  • フォトレジスト

    フォトレジストは、半導体製造のフォトリソグラフィ工程で使用される感光性樹脂材料です。

  • EUV確率論的効果

    EUV確率論的効果(Stochastic Effects)は、EUVリソグラフィ特有の現象で、光子数の統計的揺らぎ・レジスト内の化学反応のランダム性・露光スポットの確率論的ばらつきに起因する、ウェハ上のパターン寸法・形状・欠陥の予測不能なばらつきです。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。