SPIE AL+P 2027（SPIE先端リソグラフィ・パターニング）

正式名称

SPIE Advanced Lithography + Patterning

主催

SPIE

次回の会期

2027年2月21日〜2月25日（木）（開幕まであと116日）

開催地

サンノゼ（米国）

例年の開催

2月頃・米国（サンノゼ）

分野

リソグラフィ・配線・量産

格付け

分野の最高峰露光装置・レジスト・デバイスの各社がEUVやパターニングの成果を持ち寄る、リソグラフィ分野の中心の会議であるため。格付けの決め方

公式サイト

spie.org（2026/10/24 確認）

• EUV（極紫外線）

  EUV（Extreme Ultraviolet：極端紫外線）とは、波長13.5nmの極短波長光を指し、半導体リソグラフィ（露光）分野において7nm以下の超微細回路パターンを形成するための光源技術として不可欠な存在となっています。

• High-NA EUV露光

  High-NA EUV露光（High Numerical Aperture EUV Lithography）は、開口数（NA：Numerical Aperture）を従来のEUV装置の0.33から0.55に拡大した次世代EUV露光技術です。

• EUVレジスト

  EUVレジスト（EUV Resist）は、EUV（極端紫外線）露光装置を使った半導体リソグラフィ工程において、波長13.5nmのEUV光に感応して化学的変化を起こすフォトレジスト材料です。

• EUV確率論的効果

  EUV確率論的効果（Stochastic Effects）は、EUVリソグラフィ特有の現象で、光子数の統計的揺らぎ・レジスト内の化学反応のランダム性・露光スポットの確率論的ばらつきに起因する、ウェハ上のパターン寸法・形状・欠陥の予測不能なばらつきです。

発表の多い企業

• ASML

• 国際半導体製造シンポジウム（ISSM）2026年12月7日〜・東京
• 先端半導体製造会議（ASMC）2027年6月14日〜・オールバニ（米国）
• 原子層堆積国際会議・原子層エッチング国際ワークショップ（ALD/ALE）2027年6月20日〜・ドレスデン（ドイツ）
• 化合物半導体製造技術国際会議（CS MANTECH）2027年5月17日〜・サンデスティン（米国フロリダ州）
• 国際配線技術会議（IITC）例年6月頃
• AVS国際シンポジウム（AVS）2026年11月8日〜・ピッツバーグ（米国）
• 集積回路科学技術会議（CSTIC）2027年3月21日〜・上海（中国）
• 電子・イオン・光子ビーム技術とナノ加工国際会議（EIPBN）2027年5月24日〜・スコッツデール（米国）
• 気体エレクトロニクス会議（GEC）2026年11月2日〜・シカゴ（米国）
• マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（MNC）2026年11月10日〜・福岡
• マイクロ・ナノエンジニアリング国際会議（MNE）例年9月頃
• フォトマスク・ジャパン（PMJ）2027年4月7日〜・横浜
• SPIE DTCOと計算機パターニング（SPIE DTCO）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE 先端エッチングとプロセス統合（SPIE Etch）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE パターニング材料とプロセス（SPIE Materials）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE 計測・検査・プロセス制御（SPIE Metrology）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE 光・EUVナノリソグラフィ（SPIE Optical/EUV）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE フォトマスク技術＋EUVリソグラフィ（SPIE Photomask）例年9月頃
• 先端メタライゼーション会議（ADMETA）例年10月頃
• 平坦化・CMP技術国際会議（ICPT）例年11月頃
• 先進プラズマ科学と窒化物・ナノ材料への応用国際シンポジウム（ISPlasma）例年3月頃
• 精密工学会 秋季大会学術講演会（精密工学会秋季大会）2027年9月15日〜・札幌
• 精密工学会 春季大会学術講演会（精密工学会春季大会）2027年3月17日〜・小金井（東京）
• プラズマ・核融合学会 年会（プラズマ・核融合学会年会）2026年12月8日〜・北九州
• プラズマ・コンファレンス（プラズマ・コンファレンス）例年11月頃

※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。