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CONFERENCE

EIPBN 2027(電子・イオン・光子ビーム技術とナノ加工国際会議)

EIPBNが主催する、電子ビーム・イオンビーム・光によるナノ加工を扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
International Conference on Electron, Ion and Photon Beam Technology and Nanofabrication
主催
EIPBN
次回の会期
2027年5月24日〜5月28日(金)(開幕まであと208日)
開催地
スコッツデール(米国)
例年の開催
5月頃・米国
分野
リソグラフィ・配線・量産
格付け
主要国際会議EIPBNが主催し、電子ビーム・イオンビーム・光によるナノ加工の分野で継続して開かれている国際会議のため、主要国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
eipbn.org(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02投稿の日程


募集要項で発表されている締切と通知日です。

日付内容状況
2027年1月18日アブストラクト締切あと82日

03EIPBNはどんな学会か


EIPBNは、EIPBNが主催する、電子ビーム・イオンビーム・光によるナノ加工を扱う国際会議です。2027年は5月24日から5月28日まで、スコッツデール(米国)で開かれます。

電子ビーム描画、EUV、ナノインプリント、集束イオンビームなど、微細なパターンを作る技術の研究が発表されます。

04注目の技術


EIPBNでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • EUV(極紫外線)

    EUV(Extreme Ultraviolet:極端紫外線)とは、波長13.5nmの極短波長光を指し、半導体リソグラフィ(露光)分野において7nm以下の超微細回路パターンを形成するための光源技術として不可欠な存在となっています。

  • 電子ビーム描画

    電子ビーム描画装置(E-Beam Mask Writer)は、フォトマスク製造において、電子ビームをマスクブランク上に精密に照射・走査することでパターンを直接描画する装置です。

  • ナノインプリントリソグラフィ(NIL)

    ナノインプリントリソグラフィ(NIL:Nano-Imprint Lithography)は、ナノ構造を刻んだスタンプ(テンプレート)を樹脂(レジスト)に物理的に押し付け、パターンを転写するリソグラフィ技術です。

  • フォトレジスト

    フォトレジストは、半導体製造のフォトリソグラフィ工程で使用される感光性樹脂材料です。

  • EUV確率論的効果

    EUV確率論的効果(Stochastic Effects)は、EUVリソグラフィ特有の現象で、光子数の統計的揺らぎ・レジスト内の化学反応のランダム性・露光スポットの確率論的ばらつきに起因する、ウェハ上のパターン寸法・形状・欠陥の予測不能なばらつきです。

05同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。