IITC（国際配線技術会議）

正式名称

IEEE International Interconnect Technology Conference

主催

IEEE Electron Devices Society

次回の会期

未発表（例年6月頃）

開催地

米国・欧州・アジアの持ち回り

例年の開催

6月頃・米国・欧州・アジアの持ち回り

分野

リソグラフィ・配線・量産

格付け

主要国際会議IEEE Electron Devices Societyが主催し、チップ内の配線（BEOL・MOL）の分野で継続して開かれている国際会議のため、主要国際会議としています。格付けの決め方

公式サイト

iitc-conference.org（2026/10/24 確認）

• Low-k絶縁膜（低誘電率材料）

  Low-k絶縁膜（Low-k Dielectric、低誘電率材料）は、多層配線の層間絶縁膜（ILD：Inter-Layer Dielectric）に使用される、低い誘電率（k<3.9）を持つ材料の総称です。

• エレクトロマイグレーション

  エレクトロマイグレーション（Electromigration：EM）は、半導体チップの金属配線（主に銅）に高密度の電流が流れる際、電子の運動量移乗により金属原子が電流の流れる方向へ移動する現象です。

• ECD（電解めっき・電気化学堆積）

  ECD（Electrochemical Deposition：電気化学堆積、電解めっき）は、めっき液中でウェハを陰極として電流を流し、金属イオンを還元析出させて金属膜を形成する成膜技術です。

• 裏面配線技術

  裏面配線技術（Backside Interconnect）とは、半導体チップのシリコン基板裏面（バックサイド）に金属配線を形成する技術の総称です。

• SPIE先端リソグラフィ・パターニング（SPIE AL+P）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• 国際半導体製造シンポジウム（ISSM）2026年12月7日〜・東京
• 先端半導体製造会議（ASMC）2027年6月14日〜・オールバニ（米国）
• 原子層堆積国際会議・原子層エッチング国際ワークショップ（ALD/ALE）2027年6月20日〜・ドレスデン（ドイツ）
• 化合物半導体製造技術国際会議（CS MANTECH）2027年5月17日〜・サンデスティン（米国フロリダ州）
• AVS国際シンポジウム（AVS）2026年11月8日〜・ピッツバーグ（米国）
• 集積回路科学技術会議（CSTIC）2027年3月21日〜・上海（中国）
• 電子・イオン・光子ビーム技術とナノ加工国際会議（EIPBN）2027年5月24日〜・スコッツデール（米国）
• 気体エレクトロニクス会議（GEC）2026年11月2日〜・シカゴ（米国）
• マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（MNC）2026年11月10日〜・福岡
• マイクロ・ナノエンジニアリング国際会議（MNE）例年9月頃
• フォトマスク・ジャパン（PMJ）2027年4月7日〜・横浜
• SPIE DTCOと計算機パターニング（SPIE DTCO）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE 先端エッチングとプロセス統合（SPIE Etch）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE パターニング材料とプロセス（SPIE Materials）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE 計測・検査・プロセス制御（SPIE Metrology）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE 光・EUVナノリソグラフィ（SPIE Optical/EUV）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE フォトマスク技術＋EUVリソグラフィ（SPIE Photomask）例年9月頃
• 先端メタライゼーション会議（ADMETA）例年10月頃
• 平坦化・CMP技術国際会議（ICPT）例年11月頃
• 先進プラズマ科学と窒化物・ナノ材料への応用国際シンポジウム（ISPlasma）例年3月頃
• 精密工学会 秋季大会学術講演会（精密工学会秋季大会）2027年9月15日〜・札幌
• 精密工学会 春季大会学術講演会（精密工学会春季大会）2027年3月17日〜・小金井（東京）
• プラズマ・核融合学会 年会（プラズマ・核融合学会年会）2026年12月8日〜・北九州
• プラズマ・コンファレンス（プラズマ・コンファレンス）例年11月頃

※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。