SPIE DTCO 2027（SPIE DTCOと計算機パターニング）

正式名称

SPIE DTCO and Computational Patterning

主催

SPIE

次回の会期

2027年2月21日〜2月25日（木）（開幕まであと116日）

開催地

サンノゼ（米国）

例年の開催

2月頃・米国（サンノゼ）

分野

リソグラフィ・配線・量産

格付け

専門の国際会議設計と製造の協調最適化（DTCO）という特定のテーマに絞って開かれている国際会議のため、専門の国際会議としています。格付けの決め方

公式サイト

spie.org（2026/10/24 確認）

• EUV（極紫外線）

  EUV（Extreme Ultraviolet：極端紫外線）とは、波長13.5nmの極短波長光を指し、半導体リソグラフィ（露光）分野において7nm以下の超微細回路パターンを形成するための光源技術として不可欠な存在となっています。

• 電子ビーム描画

  電子ビーム描画装置（E-Beam Mask Writer）は、フォトマスク製造において、電子ビームをマスクブランク上に精密に照射・走査することでパターンを直接描画する装置です。

• ナノインプリントリソグラフィ（NIL）

  ナノインプリントリソグラフィ（NIL：Nano-Imprint Lithography）は、ナノ構造を刻んだスタンプ（テンプレート）を樹脂（レジスト）に物理的に押し付け、パターンを転写するリソグラフィ技術です。

• フォトレジスト

  フォトレジストは、半導体製造のフォトリソグラフィ工程で使用される感光性樹脂材料です。

• EUV確率論的効果

  EUV確率論的効果（Stochastic Effects）は、EUVリソグラフィ特有の現象で、光子数の統計的揺らぎ・レジスト内の化学反応のランダム性・露光スポットの確率論的ばらつきに起因する、ウェハ上のパターン寸法・形状・欠陥の予測不能なばらつきです。

• SPIE先端リソグラフィ・パターニング（SPIE AL+P）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• 国際半導体製造シンポジウム（ISSM）2026年12月7日〜・東京
• 先端半導体製造会議（ASMC）2027年6月14日〜・オールバニ（米国）
• 原子層堆積国際会議・原子層エッチング国際ワークショップ（ALD/ALE）2027年6月20日〜・ドレスデン（ドイツ）
• 化合物半導体製造技術国際会議（CS MANTECH）2027年5月17日〜・サンデスティン（米国フロリダ州）
• 国際配線技術会議（IITC）例年6月頃
• AVS国際シンポジウム（AVS）2026年11月8日〜・ピッツバーグ（米国）
• 集積回路科学技術会議（CSTIC）2027年3月21日〜・上海（中国）
• 電子・イオン・光子ビーム技術とナノ加工国際会議（EIPBN）2027年5月24日〜・スコッツデール（米国）
• 気体エレクトロニクス会議（GEC）2026年11月2日〜・シカゴ（米国）
• マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（MNC）2026年11月10日〜・福岡
• マイクロ・ナノエンジニアリング国際会議（MNE）例年9月頃
• フォトマスク・ジャパン（PMJ）2027年4月7日〜・横浜
• SPIE 先端エッチングとプロセス統合（SPIE Etch）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE パターニング材料とプロセス（SPIE Materials）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE 計測・検査・プロセス制御（SPIE Metrology）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE 光・EUVナノリソグラフィ（SPIE Optical/EUV）2027年2月21日〜・サンノゼ（米国）
• SPIE フォトマスク技術＋EUVリソグラフィ（SPIE Photomask）例年9月頃
• 先端メタライゼーション会議（ADMETA）例年10月頃
• 平坦化・CMP技術国際会議（ICPT）例年11月頃
• 先進プラズマ科学と窒化物・ナノ材料への応用国際シンポジウム（ISPlasma）例年3月頃
• 精密工学会 秋季大会学術講演会（精密工学会秋季大会）2027年9月15日〜・札幌
• 精密工学会 春季大会学術講演会（精密工学会春季大会）2027年3月17日〜・小金井（東京）
• プラズマ・核融合学会 年会（プラズマ・核融合学会年会）2026年12月8日〜・北九州
• プラズマ・コンファレンス（プラズマ・コンファレンス）例年11月頃

※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。