CONFERENCE
ALD/ALE 2027(原子層堆積国際会議・原子層エッチング国際ワークショップ)
原子1層ずつ膜をつける原子層堆積(ALD)と、1層ずつ削る原子層エッチング(ALE)を扱う国際会議。
01開催概要
- 正式名称
- International Conference on Atomic Layer Deposition / International Atomic Layer Etching Workshop
- 主催
- AVS
- 次回の会期
- 2027年6月20日〜6月23日(水)(開幕まであと235日)
- 開催地
- ドレスデン(ドイツ)
- 例年の開催
- 6月頃・米国・欧州・アジアの持ち回り
- 分野
- デバイス・プロセス/リソグラフィ・配線・量産
- 格付け
- 主要国際会議米国の真空・材料の学会AVSが毎年開く、原子層堆積(ALD)と原子層エッチング(ALE)の主要な国際会議。デバイス全体の最高峰はIEDMのため主要国際会議としています。格付けの決め方
- 公式サイト
- ald2027.avs.org(2026/10/24 確認)
02投稿の日程
募集要項で発表されている締切と通知日です。
| 日付 | 内容 | 状況 |
|---|---|---|
| 2027年2月4日 | アブストラクト締切 | あと99日 |
| 2027年3月16日 | 採否通知 | あと139日 |
03ALD/ALEはどんな学会か
ALD/ALEは、原子層堆積(ALD)の国際会議と原子層エッチング(ALE)のワークショップをあわせて開く会議です。米国の学会AVSが主催し、毎年6月前後に開かれます。
GAAトランジスタや3D NANDのように構造が立体になるほど、深い溝や狭いすき間に均一な膜をつけたり、1層ずつ精密に削ったりする技術が重要になります。新しい前駆体(原料ガス)、成膜とエッチングの反応の仕組み、量産装置への応用が発表されます。
04注目の技術
ALD/ALEでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。
- ALD
ALD(Atomic Layer Deposition/原子層堆積)は、自己制限的な表面反応を利用して薄膜を少しずつ積み上げる成膜技術です。
- ALE(原子層エッチング)
ALE(Atomic Layer Etching:原子層エッチング)は、エッチングを原子層1層単位で自己制御的に行う技術です。
- 原子層エッチング(ALE)
原子層エッチング(ALE:Atomic Layer Etching)とは、表面の原子を1原子層ずつ精密に除去するエッチング技術です。
- ALD装置(原子層堆積装置)
ALD装置(Atomic Layer Deposition Equipment)は、原子層堆積(ALD)を量産ラインで実行するための成膜装置です。
05同じ分野の学会
学会一覧へ →- 国際電子デバイス会議(IEDM)2026年12月12日〜・サンフランシスコ(米国)
- SPIE先端リソグラフィ・パターニング(SPIE AL+P)2027年2月21日〜・サンノゼ(米国)
- VLSIシンポジウム(VLSI)2027年6月20日〜・京都
- 固体素子・材料コンファレンス(SSDM)2027年9月7日〜・大阪
- 国際半導体製造シンポジウム(ISSM)2026年12月7日〜・東京
- 応用物理学会 春季学術講演会(応物春季)2027年3月16日〜・東京
- 応用物理学会 秋季学術講演会(応物秋季)例年9月頃
- 電子デバイス技術・製造会議(EDTM)2027年3月8日〜・福岡
- 先端半導体製造会議(ASMC)2027年6月14日〜・オールバニ(米国)
- 化合物半導体製造技術国際会議(CS MANTECH)2027年5月17日〜・サンデスティン(米国フロリダ州)
- 欧州固体エレクトロニクス研究会議(ESSERC)2027年9月6日〜・ヘルシンキ(フィンランド)
- 化合物半導体ウィーク(CSW)2027年6月15日〜・ヴェネツィア(イタリア)
- 窒化物半導体国際会議(ICNS)例年7月頃
- 国際配線技術会議(IITC)例年6月頃
- 窒化物半導体国際ワークショップ(IWN)2026年11月8日〜・熊本
- AVS国際シンポジウム(AVS)2026年11月8日〜・ピッツバーグ(米国)
- BiCMOS・化合物半導体集積回路技術シンポジウム(BCICTS)例年10月頃
- 集積回路科学技術会議(CSTIC)2027年3月21日〜・上海(中国)
- デバイス研究会議(DRC)2027年6月20日〜・ミネアポリス(米国)
- 電子・イオン・光子ビーム技術とナノ加工国際会議(EIPBN)2027年5月24日〜・スコッツデール(米国)
- 電子材料会議(EMC)例年6月頃
- 気体エレクトロニクス会議(GEC)2026年11月2日〜・シカゴ(米国)
- IC設計と技術国際会議(ICICDT)例年6月頃
- 分子線エピタキシー国際会議(ICMBE)例年7月頃
- 固体・集積回路技術国際会議(ICSICT)2026年10月27日〜・杭州(中国)
- InPと関連材料国際会議(IPRM)2027年6月15日〜・ヴェネツィア(イタリア)
- マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC)2026年11月10日〜・福岡
- マイクロ・ナノエンジニアリング国際会議(MNE)例年9月頃
- フォトマスク・ジャパン(PMJ)2027年4月7日〜・横浜
- IEEE半導体界面スペシャリスト会議(SISC)2026年12月9日〜・サンディエゴ(米国)
- 半導体プロセス・デバイスシミュレーション国際会議(SISPAD)例年9月頃
- SPIE DTCOと計算機パターニング(SPIE DTCO)2027年2月21日〜・サンノゼ(米国)
- SPIE 先端エッチングとプロセス統合(SPIE Etch)2027年2月21日〜・サンノゼ(米国)
- SPIE パターニング材料とプロセス(SPIE Materials)2027年2月21日〜・サンノゼ(米国)
- SPIE 計測・検査・プロセス制御(SPIE Metrology)2027年2月21日〜・サンノゼ(米国)
- SPIE 光・EUVナノリソグラフィ(SPIE Optical/EUV)2027年2月21日〜・サンノゼ(米国)
- SPIE フォトマスク技術+EUVリソグラフィ(SPIE Photomask)例年9月頃
- 先端メタライゼーション会議(ADMETA)例年10月頃
- 先端半導体デバイス・マイクロシステム国際会議(ASDAM)例年10月頃
- アジア太平洋先端半導体デバイスワークショップ(AWAD)例年7月頃
- 国際半導体会議(ルーマニア)(CAS)例年10月頃
- 電子デバイスと固体回路国際会議(EDSSC)例年6月頃
- 電子材料シンポジウム(EMS)2027年10月13日〜・橿原(奈良)
- 政府向けマイクロ回路応用・重要技術会議(GOMACTech)2027年3月22日〜・パサデナ(米国)
- 平坦化・CMP技術国際会議(ICPT)例年11月頃
- IEEE新興エレクトロニクス国際会議(ICEE)2026年12月19日〜・ベンガルール(インド)
- IEEEマイクロエレクトロニクス国際会議(IEEE ICM)2026年12月7日〜・サラワク(マレーシア)
- 電子情報通信学会 電子部品・材料研究会(CPM研究会)例年11月頃
- 電子情報通信学会 総合大会(信学総合大会)2027年3月9日〜・東京
- 電子情報通信学会 ソサイエティ大会(信学ソサイエティ大会)例年9月頃
- 半導体界面制御国際シンポジウム(ISCSI)例年11月頃
- 先進プラズマ科学と窒化物・ナノ材料への応用国際シンポジウム(ISPlasma)例年3月頃
- 国際真空ナノエレクトロニクス会議(IVNC)例年7月頃
- 接合技術国際ワークショップ(IWJT)例年9月頃
- 半導体デバイス物理国際ワークショップ(IWPSD)例年12月頃
- 精密工学会 秋季大会学術講演会(精密工学会秋季大会)2027年9月15日〜・札幌
- 精密工学会 春季大会学術講演会(精密工学会春季大会)2027年3月17日〜・小金井(東京)
- プラズマ・核融合学会 年会(プラズマ・核融合学会年会)2026年12月8日〜・北九州
- 韓国半導体学術大会(KCS)2027年1月26日〜・江陵(韓国)
- プラズマ・コンファレンス(プラズマ・コンファレンス)例年11月頃
- VLSI技術・システム・応用国際シンポジウム(VLSI TSA)例年4月頃
※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。