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CONFERENCE

SPIE Optical/EUV 2027(SPIE 光・EUVナノリソグラフィ)

SPIEが主催する、光露光とEUV露光を扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
SPIE Optical and EUV Nanolithography
主催
SPIE
次回の会期
2027年2月21日〜2月25日(木)(開幕まであと116日)
開催地
サンノゼ(米国)
例年の開催
2月頃・米国(サンノゼ)
分野
リソグラフィ・配線・量産
格付け
専門の国際会議光露光とEUV露光という特定のテーマに絞って開かれている国際会議のため、専門の国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
spie.org(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02SPIE Optical/EUVはどんな学会か


SPIE Optical/EUVは、SPIEが主催する、光露光とEUV露光を扱う国際会議です。2027年は2月21日から2月25日まで、サンノゼ(米国)で開かれます。

ArF液浸とEUV(High-NAを含む)の露光装置・光源・プロセスの研究が発表されます。SPIE Advanced Lithography + Patterning を構成する会議の1つです。

03注目の技術


SPIE Optical/EUVでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • EUV(極紫外線)

    EUV(Extreme Ultraviolet:極端紫外線)とは、波長13.5nmの極短波長光を指し、半導体リソグラフィ(露光)分野において7nm以下の超微細回路パターンを形成するための光源技術として不可欠な存在となっています。

  • High-NA EUV露光

    High-NA EUV露光(High Numerical Aperture EUV Lithography)は、開口数(NA:Numerical Aperture)を従来のEUV装置の0.33から0.55に拡大した次世代EUV露光技術です。

  • EUV確率論的効果

    EUV確率論的効果(Stochastic Effects)は、EUVリソグラフィ特有の現象で、光子数の統計的揺らぎ・レジスト内の化学反応のランダム性・露光スポットの確率論的ばらつきに起因する、ウェハ上のパターン寸法・形状・欠陥の予測不能なばらつきです。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。