アバランシェ降伏（なだれ降伏）とは、pn接合に高い逆方向の電圧をかけたとき、空乏層の強い電界で加速された電子や正孔が結晶の原子にぶつかって新しい電子と正孔の組を作り、それがまた加速されて次の組を作るという連鎖（なだれ）が起こって、電流が急に増える現象です。この、ぶつかってキャリアを作る現象を衝突電離と呼びます。
アバランシェ降伏が起こる電圧は、半導体材料が壊れずに耐えられる電界の強さ（絶縁破壊電界）と、空乏層の厚さで決まります。パワー半導体の耐圧は、ほとんどがこのアバランシェ降伏で決まります。シリコンの絶縁破壊電界は約0.3MV/cmですが、SiCやGaNは約10倍あり、同じ耐圧を10分の1程度の薄い層で実現できるため、オン抵抗を大きく下げられます。
アバランシェ降伏は、利用されることもあります。光の検出器のアバランシェフォトダイオード（APD）は、光で生まれたわずかなキャリアをなだれ増倍で大きくし、弱い光でも検出できるようにしています。パワー半導体では、モーターなどのコイルが作る電圧の跳ね上がりでアバランシェ降伏が起きても壊れないことが求められ、その強さをアバランシェ耐量として評価します。
