ams OSRAM
センサー・光半導体・LEDの世界的大手IDM。Austrian Micro Systems（ams）とOSRAMの合併企業。スマートフォン向け近接センサー・環境光センサー・3D深度センサー、自動車向けHD LEDを提供。Apple iPhone採用実績多数。
オーストリア・IDM・公式サイト ↗
当サイトでの位置づけ
Semirai の半導体デバイス（センサー）の文脈では、光センサー・3D センシング・車載 LED を手がける企業として、スマートフォンや自動車の光学・照明分野を担う立場にあります。
企業の強み
iPhone・Android向け光センサーで世界シェアトップ
自動車向けHD LEDヘッドライトで業界をリード
3Dセンシング（ToF・構造光）に強み
主要製品・ソリューション
光センサー
- •TMD2772（近接センサー）
- •TSL2585（環境光センサー）
LEDモジュール
- •OSIRE E3731（自動車向け）
- •OSLON Black Flat
3Dセンシング
- •VCSEL（ToFセンサー光源）
製品分野・業態
関連装置カテゴリ
半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、ams OSRAMを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
ディスクリート・光半導体 のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC（炭化ケイ素）とGaN（窒化ガリウム）はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・…
CMOSイメージセンサーとCCDの違い
デジタルカメラの普及を支えたのはCCDイメージセンサーでしたが、現在のスマートフォンや車載カメラに入っているのはほぼすべてCMOSイメージセンサー（CIS）です…
GaN-on-SiとGaN-on-SiCの違い
GaNは自立基板が高価で入手性も限られるため、実用デバイスの多くは異種基板の上にGaN層をヘテロエピタキシャル成長させて作られます。その基板として競合するのがシ…
SiC MOSFETとIGBTの違い（EV・パワーエレクトロニクス比較）
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）は1990年代から産業用インバーター・鉄道・EV駆動系に広く採用されてきたSiパワ…
バイポーラとユニポーラの違い（バイポーラトランジスタとMOSFET）
半導体デバイスは、電流を運ぶキャリアの使い方によって、バイポーラ型とユニポーラ型に分けられます。トランジスタで言えば、昔からあるバイポーラトランジスタと、現在の…
ams OSRAM のご担当者様へ
このページの掲載内容を貴社で管理できます（企業ページの認領）。情報の修正は無料、詳細掲載や資料掲載は有料プランでご利用いただけます。
※ 税別。有料プランは最低3ヶ月から。 プランの詳細を見る