ホスフィン（PH3）とは、リン1個に水素3個が結びついた無色の気体で、半導体にリンを加えてn型にする（ドーピングする）ための原料ガスです。シリコンのエピタキシャル成長やポリシリコンのCVDで、成長させながら膜にリンを加えるときに使われるほか、イオン注入装置でリンのイオンを作る原料にも使われます。化合物半導体のInPなどをMOCVDで作るときのリンの原料にもなります。
ホスフィンは、非常に毒性の強いガスで、ごくわずかな濃度でも人体に危険です。空気中で自然に発火することもあるため、半導体の工場では特殊高圧ガスとして厳しく管理されています。多くの場合、水素や窒素で薄めた状態でシリンダーに詰め、漏えいの検知器と自動の遮断弁を備えたシリンダーキャビネットに置き、配管も二重にして扱います。
より安全に使うため、イオン注入の原料には、ガスを多孔質の吸着材に吸わせ、大気圧より低い圧力でシリンダーに保管する方式（減圧貯蔵）が広く使われています。シリンダーが壊れても、中のガスが勢いよく漏れ出しにくいのが特長です。装置から出た排気に残ったホスフィンは、除害装置で分解・吸着してから外へ出します。
