A400 DUO

200mm 以下のウェーハ向けのバッチ式縦型炉。2 つの反応炉で、パワー・アナログ・RF・MEMS の拡散・アニール・LPCVD を行う。

A400 DUOとは

A400 DUO は、ASM の 200mm 以下のウェーハ向けのバッチ式縦型炉です。パワー、アナログ、RF、MEMS デバイスの市場を主な対象としています。多くのウェーハを炉に積んで同時に熱処理するため、生産性が高くなります。

元の A400 と互換性があり、既存のプロセスレシピを簡単に移せるため、量産への受け入れを早められます。大気圧の熱処理ではドーパントの拡散と活性化、アニール、酸化を、LPCVD ではポリシリコン、窒化シリコン、酸化シリコンを成膜します。

2 つの反応炉を持つ構成で、処理量を最大にしつつ高価なファブの床面積を最小にします。1 つ目の反応炉で処理したウェーハを、酸素のない管理された環境で 2 つ目の反応炉に移して別の処理を行う逐次処理もできます。2 つのボートを使い、反応炉を最大限に活用します。

方式	バッチ式縦型炉（デュアル反応炉）
対応ウェハ径	200 mm 以下
主要用途	拡散・アニール・酸化・LPCVD（ポリシリコン・窒化膜・酸化膜）

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE-II	東京エレクトロン（TEL）TELINDY PLUS	東京エレクトロン（TEL）EVAROS™	東京エレクトロン（TEL）TELFORMULA™	東京エレクトロン（TEL）ALPHA-8SE™ i	ASMインターナショナルSONORA	ASMインターナショナルA400 DUO	ULVAC（アルバック）H83／H84（拡散炉）
方式	縦型大バッチ	バッチ式（縦型炉）	縦型バッチ式熱処理成膜	縦型バッチ式熱処理成膜（短 TAT）	縦型バッチ式熱処理成膜	—	バッチ式縦型炉（デュアル反応炉）	横型拡散炉（3 段／4 段構成）
主要用途	酸化膜・CVD膜の形成	酸化・拡散・バッチ成膜	ALD SiO₂・ALD SiN・Poly	CVD Si・SiN・SiO₂・High-k ALD・酸化・アニール	—	—	拡散・アニール・酸化・LPCVD（ポリシリコン・窒化膜・酸化膜）	—
対応ウェハ径	—	300 mm	—	—	150／200 mm	300 mm	200 mm 以下	—
生産性	従来機比最大 1.25 倍のロット処理	—	—	—	—	前世代機 A412 比最大 30% 向上（レシピ互換）	—	—
関連機種	AdvancedAce-II・VERTEX Revolution（200 mm）	TELFORMULA・ALPHA-8SE i	—	—	—	—	—	—
処理枚数	—	—	最大 200 枚（300mm）	—	最大 150 枚	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（10件）

対応プロセス	酸化・拡散・アニール（低温／高温）	—	—	—	—	—	—	—
最大ロード	—	125 枚	—	—	—	—	—	—
プロセス温度	—	RT ～ 1,100 °C	—	—	—	—	—	—
シリーズ構成	—	TELINDY PLUS／TELINDY PLUS IRad（プラズマALD）／EVAROS	—	—	—	—	—	—
特徴	—	—	—	高速昇降温ヒーター・完全石英面のリアクター・ドライガスクリーニング	—	—	—	—
バッチ処理枚数	—	—	—	—	—	最大 150 枚	—	—
常圧プロセス	—	—	—	—	—	拡散・不純物活性化・アニール・酸化	—	—
減圧プロセス	—	—	—	—	—	LPCVD（Poly-Si・SiN・SiO）／バッチALD	—	—
ウェハ径・処理枚数	—	—	—	—	—	—	—	〜200mm・50／125 枚
温度	—	—	—	—	—	—	—	常用 600〜1,200℃・均熱性 ±1.0℃（5 ゾーン独立制御）