XP4 Pulsar®

ハフニウム系 High-k ゲート絶縁膜への移行を支えた ASM の ALD 反応炉。固体原料の供給に対応する。

XP4 Pulsarとは

Pulsar は、ASM の ALD 反応炉です。トランジスタのゲートにハフニウム系の High-k 絶縁膜を使う転換を支えた装置で、現在は FinFET などの先端 3D トランジスタ構造の要求性能を満たすために使われています。

反応室と原料供給系は、ガスの流れを精密に制御し、パージ時間を最小にするよう最適化されており、高度なプロセス制御、膜の純度、均一性を実現します。低容積の等温反応炉で、層流のクロスフロー設計で ALD のパルスを最適に届けます。

液体原料より膜特性に優れた固体原料のガス供給に対応し、固体からガスへの変換を精密に制御します。ASM の 300mm XP 共通プラットフォームの XP4 クラスターに最大 4 つの Pulsar モジュールを搭載できます。

主な特長

•High-k 膜の実績
•等温・クロスフロー反応炉
•固体原料の供給システム

主な仕様

方式	ALD（等温・クロスフロー反応炉）
原料	固体原料の供給システム
構成	XP4 クラスターに最大 4 モジュール

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsOlympia® ALD	Applied MaterialsCentris™ Spectral™ Mo ALD	Applied MaterialsCentris™ Spectral™ SiN ALD	Applied MaterialsEndura™ Trillium™ ALD	東京エレクトロン（TEL）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）	東京エレクトロン（TEL）NT333™（セミバッチ式ALD）	Kokusai Electric（国際電気）TSURUGI-C²®（ミニバッチ成膜装置）	Kokusai Electric（国際電気）Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ 剱	Kokusai Electric（国際電気）Advanced TSURUGI 剱	Lam ResearchStriker®（枚葉ALD）	ASMインターナショナルXP4 EmerALD®	ASMインターナショナルXP4 Pulsar®	ASMインターナショナルXP8 Synergis®	ASMインターナショナルXP8 DCM™ PEALD	ASMインターナショナルXP8 QCM PEALD	ASMインターナショナルXP8 JQCM™ PEALD	ASMインターナショナルXP8 Magma PEALD
方式	空間分離型 ALD（ウェーハが隔離ゾーンを回転）	ALD（単結晶モリブデンのボトムアップ成膜）	空間分割 ALD＋直接型マイクロ波プラズマ（Nimbus）	ALD（Endura プラットフォーム）	バッチ式（最大 125 枚）、プラズマ援用	セミバッチ式 ALD（熱／プラズマ）	ミニバッチ式（サーマル）	ミニバッチ・サーマルプロセス（薄膜形成）	ミニバッチ・サーマルプロセス（薄膜形成）	枚葉 ALD（マルチステーション）	ALD（シャワーヘッド・ダイレクト／リモートプラズマ）	ALD（等温・クロスフロー反応炉）	熱 ALD	プラズマ ALD（PEALD）	プラズマ ALD（PEALD）	プラズマ ALD（PEALD）	プラズマ ALD（PEALD）
主要用途	DRAM・3D NAND・FinFET の低温 ALD	GAA・CFET 世代のコンタクト	—	FinFET・GAA・CFET	—	—	—	—	—	パターニング用スペーサー・コンフォーマルライナー・ギャップフィル	メタルゲート層・低温酸化膜・キャパシタ電極	—	—	ライナー・スペーサー・多重パターニング・ゲート酸化膜	SiO ライナー・ハードマスク・スペーサー・CIS の TiO ギャップフィル	SiN ライナー・スペーサー・エッチストップ・ギャップフィル	SiO ライナー・スペーサー・TSV ライナー・VNAND の R-Pad SiN
対応ウェハ径	300 mm	—	—	—	300 mm	300 mm（6 枚／チャンバー、2 チャンバーで 12 枚）	300 mm	300 mm	300 mm	—	—	—	300 mm	—	—	—	—
特徴	前駆体を完全に分離、時間分離型 ALD 比で生産性 50% 以上向上	—	低温・高カバレッジ・マルチペデスタルで高スループット	—	in-situ ドライガスクリーニング、プロセス温度 RT〜800°C	高ステップカバレッジ・低温改質ステップ・応力制御	容積最小化の反応炉でローディング効果を低減・膜厚均一性を向上	高性能ウェーハ反応炉・高性能ガス供給／排気・ヘルスチェック機能（オプション）	容積を最小化した反応炉・大排気・省フットプリント（従来比 −10%）	—	—	—	—	—	—	—	—
構成	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	XP クラスターに最大 4 モジュール	XP4 クラスターに最大 4 モジュール	—	最大 4 DCM・8 反応室	最大 4 QCM・16 反応室	最大 4 プロセスモジュール（各 4 反応室）	最大 4 反応チャンバー・同時 16 枚
対象膜	絶縁膜	—	—	—	極低温 ALD-SiN・ALD-SiO₂	SiO₂・SiN・High-k 酸化膜	—	—	—	絶縁膜（ドーピング・in-situ マストリム対応）	—	—	—	—	—	—	—
膜種	—	—	窒化シリコン（SiN）	仕事関数メタル・ダイポール層・ライナー・キャップ膜など	—	—	—	—	—	—	—	—	金属酸化物・絶縁膜・金属窒化物・純金属	—	—	—	—
関連機種	—	—	—	—	NT333™（セミバッチ式 ALD）	—	Advanced TSURUGI／Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ（最上位）	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（3件）

効果	—	選択 W 比でコンタクト抵抗を 15% 低減	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
シリーズ構成	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Striker／Striker FE	—	—	—	—	—	—	—
原料	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	固体原料の供給システム	—	—	—	—	—