東京エレクトロン(TEL)/SiCパワー半導体製造装置

UNITY™ Me+

200mm 以下のウェーハ向けのドライエッチング装置。パワーデバイスの Si/SiC トレンチ加工で使われる。

UNITY Me+とは

UNITY Me+ は、東京エレクトロン(TEL)のドライエッチング装置です。200mm 以下のウェーハで高い評価を得た UNITY Me の後継機種として、2021年にリニューアルされました。

UNITY シリーズは 200mm の量産ラインで高いコストパフォーマンスを持ち、近年はパワーデバイス向けの Si/SiC トレンチ加工で再び注目されています。

SiO₂/SiN 加工用の DRM・SCCM チャンバーに加え、Si/SiC トレンチ加工用のチャンバーを搭載でき、100・150・200mm のウェーハに対応します。シリコン以外にも、SiC や LT・LN などの幅広い化合物ウェーハで実績があります。

主な特長

  • •100〜200mm 対応
  • •Si/SiC トレンチ用チャンバー
  • •化合物ウェーハの実績

主な仕様

対応ウェハ径100/150/200 mm
チャンバーSCCM(酸化膜)・DRM・UD(Si/SiC トレンチ)、1〜4 室
対応基板Si・SiC・ガラス・サファイア・LN・LT など

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目東京エレクトロン(TEL)UNITY™ Me+ASMインターナショナルPE1O6A/PE1O8(SiC エピ装置)ASMインターナショナルPE2O8™(SiC エピ装置)
対応ウェハ径100/150/200 mm—6/8 インチ
方式—枚葉クロスフロー反応炉の SiC エピデュアルチャンバーの SiC エピ(ホットウォール・クロスフロー)
1機種だけが掲載している項目(5件)
チャンバーSCCM(酸化膜)・DRM・UD(Si/SiC トレンチ)、1〜4 室——
対応基板Si・SiC・ガラス・サファイア・LN・LT など——
均一性—膜厚 1% 未満・ドーパント 2% 未満—
成長速度—最大 60µm/h—
加熱——誘導加熱

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •SiC パワーデバイスのトレンチ加工
  • •酸化膜・窒化膜エッチング

掲載カテゴリ

UNITY Me+は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

東京エレクトロン(TEL)

世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。

東京エレクトロン(TEL) の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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最終確認日:2026-10-07
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