Endura Volta Selective W CVD 是應用材料的選擇性鎢沉積整合材料解決方案。在連接電晶體與導線的 MOL（中段製程）接觸窗中，低電阻的鎢一直被廣泛使用。
隨著微縮使接觸窗變細，襯層／阻障層與成核層佔據接觸窗大部分體積，導體的量隨之減少。插塞內的界面也會增加電阻。
結合表面處理腔體與選擇性鎢沉積腔體，以特殊化學處理底層金屬與介電膜後，只在需要的位置成長鎢。藉此在推進 2 維微縮的同時降低接觸電阻。
Endura Volta Selective W CVD的特點與規格
應用材料（Applied Materials）・CVD 設備
在 MOL 接觸窗中選擇性填充鎢，省去襯層與成核層以降低接觸電阻的整合系統。
產品概要
主要規格
| 方式 | 表面處理＋選擇性鎢 CVD |
|---|---|
| 對象 | MOL（中段製程）接觸窗 |
| 效果 | 省去襯層／成核層，降低接觸電阻 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
選擇性鎢成長
與表面處理腔體整合
省去襯層・成核層
主要用途
- MOL 接觸窗
製造商與在台據點
在台據點
- 新竹據點（新竹科學園區）：1996 年進駐，技術研發中心
- 台南據點（台南）：製造中心與顯示器設備製造研發中心
- 林口・台中據點（林口・台中）：營運據點
所屬設備分類
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