Endura Versa XLR2 W PVD 是應用材料的鎢（W）PVD 設備。微縮使導線變細時電阻增加，在 DRAM 中經由位元線的資料讀寫會變慢，功耗也增加。
將導線加粗・加高雖可降低電阻，但會妨礙微縮，或增加電容與蝕刻難度。因此在先進元件中，重點放在改善導體本身的性質以降低電阻。
Versa XLR2 W 沉積減少電子散射成因的低電阻鎢膜，降低 DRAM 位元線的電阻。
Endura Versa XLR2 W PVD的特點與規格
應用材料（Applied Materials）・PVD 設備
藉由改善膜質，降低 DRAM 位元線所用鎢之電阻的 PVD。
產品概要
主要規格
| 方式 | PVD（鎢） |
|---|---|
| 目標 | 減少散射的低電阻 W 膜 |
| 主要用途 | DRAM 位元線 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
低電阻鎢膜
面向 DRAM 位元線
主要用途
- DRAM 的位元線
製造商與在台據點
在台據點
- 新竹據點（新竹科學園區）：1996 年進駐，技術研發中心
- 台南據點（台南）：製造中心與顯示器設備製造研發中心
- 林口・台中據點（林口・台中）：營運據點
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