Centris™ Spectral™ Mo ALD

GAA トランジスタのコンタクトにモリブデンをボトムアップで埋める ALD 装置。選択タングステン比でコンタクト抵抗をさらに 15% 下げる。

Centris Spectral Mo ALDとは

Centris Spectral Mo ALD は、Applied Materials のモリブデン（Mo）の ALD 装置です。AI や HPC 向けの GAA（ゲートオールアラウンド）トランジスタでは、トランジスタと上の配線をつなぐ極小のコンタクトの抵抗が性能の壁になっています。

微細化しても電子が流れやすいモリブデンを、原子レベルの制御で単結晶のままボトムアップに堆積させます。選択的な材料処理の技術を生かし、コンタクトを小さくしても導電性を保ちます。

業界標準である選択タングステンに比べ、重要なコンタクトの抵抗をさらに 15% 下げられます。GAA から CFET、さらに 3D 集積へと進む世代に向けたプラットフォームとして設計されています。

主な特長

•単結晶 Mo のボトムアップ ALD
•コンタクト抵抗を選択 W 比 15% 低減
•GAA・CFET 世代に対応

主な仕様

方式	ALD（単結晶モリブデンのボトムアップ成膜）
効果	選択 W 比でコンタクト抵抗を 15% 低減
主要用途	GAA・CFET 世代のコンタクト

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsOlympia® ALD	Applied MaterialsCentris™ Spectral™ Mo ALD	Applied MaterialsCentris™ Spectral™ SiN ALD	Applied MaterialsEndura™ Trillium™ ALD	東京エレクトロン（TEL）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）	東京エレクトロン（TEL）NT333™（セミバッチ式ALD）	Kokusai Electric（国際電気）TSURUGI-C²®（ミニバッチ成膜装置）	Kokusai Electric（国際電気）Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ 剱	Kokusai Electric（国際電気）Advanced TSURUGI 剱	Lam ResearchStriker®（枚葉ALD）	ASMインターナショナルXP4 EmerALD®	ASMインターナショナルXP4 Pulsar®	ASMインターナショナルXP8 Synergis®	ASMインターナショナルXP8 DCM™ PEALD	ASMインターナショナルXP8 QCM PEALD	ASMインターナショナルXP8 JQCM™ PEALD	ASMインターナショナルXP8 Magma PEALD
方式	空間分離型 ALD（ウェーハが隔離ゾーンを回転）	ALD（単結晶モリブデンのボトムアップ成膜）	空間分割 ALD＋直接型マイクロ波プラズマ（Nimbus）	ALD（Endura プラットフォーム）	バッチ式（最大 125 枚）、プラズマ援用	セミバッチ式 ALD（熱／プラズマ）	ミニバッチ式（サーマル）	ミニバッチ・サーマルプロセス（薄膜形成）	ミニバッチ・サーマルプロセス（薄膜形成）	枚葉 ALD（マルチステーション）	ALD（シャワーヘッド・ダイレクト／リモートプラズマ）	ALD（等温・クロスフロー反応炉）	熱 ALD	プラズマ ALD（PEALD）	プラズマ ALD（PEALD）	プラズマ ALD（PEALD）	プラズマ ALD（PEALD）
主要用途	DRAM・3D NAND・FinFET の低温 ALD	GAA・CFET 世代のコンタクト	—	FinFET・GAA・CFET	—	—	—	—	—	パターニング用スペーサー・コンフォーマルライナー・ギャップフィル	メタルゲート層・低温酸化膜・キャパシタ電極	—	—	ライナー・スペーサー・多重パターニング・ゲート酸化膜	SiO ライナー・ハードマスク・スペーサー・CIS の TiO ギャップフィル	SiN ライナー・スペーサー・エッチストップ・ギャップフィル	SiO ライナー・スペーサー・TSV ライナー・VNAND の R-Pad SiN
対応ウェハ径	300 mm	—	—	—	300 mm	300 mm（6 枚／チャンバー、2 チャンバーで 12 枚）	300 mm	300 mm	300 mm	—	—	—	300 mm	—	—	—	—
特徴	前駆体を完全に分離、時間分離型 ALD 比で生産性 50% 以上向上	—	低温・高カバレッジ・マルチペデスタルで高スループット	—	in-situ ドライガスクリーニング、プロセス温度 RT〜800°C	高ステップカバレッジ・低温改質ステップ・応力制御	容積最小化の反応炉でローディング効果を低減・膜厚均一性を向上	高性能ウェーハ反応炉・高性能ガス供給／排気・ヘルスチェック機能（オプション）	容積を最小化した反応炉・大排気・省フットプリント（従来比 −10%）	—	—	—	—	—	—	—	—
構成	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	XP クラスターに最大 4 モジュール	XP4 クラスターに最大 4 モジュール	—	最大 4 DCM・8 反応室	最大 4 QCM・16 反応室	最大 4 プロセスモジュール（各 4 反応室）	最大 4 反応チャンバー・同時 16 枚
対象膜	絶縁膜	—	—	—	極低温 ALD-SiN・ALD-SiO₂	SiO₂・SiN・High-k 酸化膜	—	—	—	絶縁膜（ドーピング・in-situ マストリム対応）	—	—	—	—	—	—	—
膜種	—	—	窒化シリコン（SiN）	仕事関数メタル・ダイポール層・ライナー・キャップ膜など	—	—	—	—	—	—	—	—	金属酸化物・絶縁膜・金属窒化物・純金属	—	—	—	—
関連機種	—	—	—	—	NT333™（セミバッチ式 ALD）	—	Advanced TSURUGI／Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ（最上位）	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（3件）

効果	—	選択 W 比でコンタクト抵抗を 15% 低減	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
シリーズ構成	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Striker／Striker FE	—	—	—	—	—	—	—
原料	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	固体原料の供給システム	—	—	—	—	—