最後更新:2026年10月23日CD-SEM

GT2000的特點與規格

日立高新技術(Hitachi High-Tech)・CD-SEM

日立高新技術面向 High-NA EUV 世代元件開發與量產的 CD-SEM,具備 100V 超低加速電壓與超高速多點量測。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

GT2000 是日立高新技術(Hitachi High-Tech)的高精度電子束量測系統(CD-SEM),為因應 High-NA EUV 世代元件開發與量產的需求而開發。CD-SEM 是以電子束觀察圖案,並以奈米以下精度量測線寬等尺寸的設備。

在 High-NA EUV 製程中,光阻變得更薄,電子束造成的損傷(收縮)成為問題。GT2000 具備 100V 的超低加速電壓條件與超高速多點量測功能,能在抑制對光阻影響的同時增加量測點。

針對 3D 元件結構搭載高靈敏度的背向散射電子偵測系統,並以新平台與電子光學系統將機台間的量測值差異降至極小。由於量產時多台設備回傳相同數值非常重要,這種機台間匹配是 CD-SEM 的重要性能指標。

主要規格

量測方式CD-SEM
對象世代High-NA EUV 世代
特點超低加速電壓 100V・面向 3D 結構的背向散射電子偵測系統
主要用途先進邏輯・記憶體的尺寸量測

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

面向 High-NA EUV 製程的超低加速電壓 100V
超高速多點量測
面向 3D 結構的高靈敏度背向散射電子偵測
將機台間量測值差異降至極小的新平台

主要用途

  • High-NA EUV 世代元件開發・量產的尺寸量測
  • 3D 結構的量測

製造商

日立高新技術(Hitachi High-Tech)(總部:日本)

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資料來源

  1. 日立高新技術(Hitachi High-Tech)官方產品頁面:GT2000