最後更新:2026年10月23日CD-SEM

VeritySEM 20 CD Metrology的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・CD-SEM

應用材料(Applied Materials)面向先進邏輯・記憶體的 CD-SEM。以低著陸能量在不損傷 EUV・High-NA EUV 薄光阻的情況下進行量測。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

VeritySEM 20 是應用材料(Applied Materials)的 CD-SEM 量測平台,專為量測先進邏輯與記憶體的關鍵尺寸而設計。CD-SEM 被稱為「晶圓廠的尺規」,量測曝光後光阻圖案的線寬等,並以這些資料校正曝光機與製程。

在 EUV,尤其是 High-NA EUV 中,光阻變薄,尺寸量測變得困難。VeritySEM 20 以業界頂尖等級的次奈米電子束解析度,快速量測晶圓全面數百個點的 CD,加快 EUV 掃描機的校正。並以低著陸能量抑制對薄而脆弱光阻的影響,在不損傷圖案的情況下進行量測。

也強化了 GAA 電晶體、DRAM 與 3D NAND 的量測。以多方向掃描方式穩定 EUV/High-NA EUV 極薄光阻的邊緣定義,並改善邊緣的對稱性。依用途不同,產能提升 20~50%,2D 結構匹配最多改善 25%。

主要規格

量測方式CD-SEM(次奈米解析度)
對象世代EUV・High-NA EUV、GAA・DRAM・3D NAND
特點多方向掃描、產能提升 20~50%、2D 結構匹配最多改善 25%
主要用途EUV 掃描機校正・先進元件的尺寸量測

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

次奈米電子束解析度
以低著陸能量保護薄 EUV 光阻
以多方向掃描穩定邊緣定義
產能提升 20~50%、2D 匹配最多改善 25%

主要用途

  • EUV・High-NA EUV 掃描機的校正
  • GAA・DRAM・3D NAND 的尺寸量測

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

所屬設備分類

相關用語

同分類的其他機型

應用材料(Applied Materials)的其他機型

資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials VeritySEM 20