日立ハイテク/CD-SEM

GT2000(高精度電子線計測システム)

High-NA EUV 世代のデバイス開発と量産に向けた日立ハイテクの CD-SEM。100V の超低加速電圧と超高速多点計測を備える。

GT2000とは

GT2000 は、日立ハイテクの高精度電子線計測システム(CD-SEM)です。High-NA EUV 世代のデバイス開発と量産のニーズに応えるために開発されました。CD-SEM は電子ビームでパターンを観察し、線幅などの寸法をナノメートル以下の精度で測る装置です。

High-NA EUV の工程ではレジストがさらに薄くなり、電子ビームによるダメージ(シュリンク)が問題になります。GT2000 は 100V という超低加速電圧の条件と、超高速の多点計測機能を備え、レジストへの影響を抑えながら計測点を増やせます。

3D デバイス構造向けに高感度の反射電子検出システムを搭載し、新しいプラットフォームと電子光学系で装置間の測長値の差を極小化しています。量産では複数台の装置で同じ値を返すことが重要になるため、この装置間マッチングが CD-SEM の大きな性能指標です。

主な特長

  • •High-NA EUV 工程向けの超低加速電圧 100V
  • •超高速の多点計測
  • •3D 構造向けの高感度反射電子検出
  • •装置間の測長値差を極小化する新プラットフォーム

主な仕様

測定方式CD-SEM
対象世代High-NA EUV 世代
特徴超低加速電圧 100V・3D 構造向け反射電子検出系
主要用途先端ロジック・メモリの寸法計測

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目日立ハイテクGT2000(高精度電子線計測システム)日立ハイテクCG7300(高分解能FEB測長装置)Applied MaterialsVeritySEM® 20 CD Metrology
測定方式CD-SEMCD-SEMCD-SEM(サブナノメートル分解能)
対象世代High-NA EUV 世代EUV 量産世代EUV・High-NA EUV、GAA・DRAM・3D NAND
特徴超低加速電圧 100V・3D 構造向け反射電子検出系装置間マッチング約 10% 向上・高速スキャンの帯電制御多方向スキャン、スループット 20〜50% 向上、2D 構造のマッチング最大 25% 改善
主要用途先端ロジック・メモリの寸法計測量産ラインの CD・CDU 計測EUV スキャナーの校正・先端デバイスの寸法計測

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •High-NA EUV 世代デバイスの開発・量産の寸法計測
  • •3D 構造の計測

掲載カテゴリ

GT2000は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

日立ハイテク

世界をリードする計測・検査技術のパイオニア。電子顕微鏡技術を核とした「見る・測る・分析する」の総合力で、2nm/3nm世代の先端半導体製造をサポート。

日立ハイテク の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06
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