PROVision 10 是應用材料(Applied Materials)的電子束(eBeam)量測設備。在最先進的晶片中,需要超越光學標靶近似、統計抽樣與每 1 層個別管理的新型量測。
結合次奈米解析度、高速性、穿透層成像與專用演算法,產生圖案化所需的數百萬點資料。對光學量測看不到的部分,也能在晶圓全面與晶片多個層之間進行精密量測。
支援 2nm 晶圓代工邏輯、GAA 電晶體、次世代 DRAM・HBM、背面供電等最先進設計,有助於提升良率並縮短產品上市時間。
具備次奈米解析度與穿透層成像的電子束量測設備,用於 2nm 邏輯與 HBM 的量測。
PROVision 10 是應用材料(Applied Materials)的電子束(eBeam)量測設備。在最先進的晶片中,需要超越光學標靶近似、統計抽樣與每 1 層個別管理的新型量測。
結合次奈米解析度、高速性、穿透層成像與專用演算法,產生圖案化所需的數百萬點資料。對光學量測看不到的部分,也能在晶圓全面與晶片多個層之間進行精密量測。
支援 2nm 晶圓代工邏輯、GAA 電晶體、次世代 DRAM・HBM、背面供電等最先進設計,有助於提升良率並縮短產品上市時間。
| 方式 | 電子束量測(穿透層成像) |
|---|---|
| 解析度 | 次奈米 |
| 對象 | 2nm 邏輯・GAA・次世代 DRAM・HBM・背面供電 |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。