Kiyo®（コンダクタエッチング）

Lam Research のコンダクタエッチング用プロダクトファミリー。対称チャンバーと静電チャック技術で、トランジスタ周りの微細な導電体パターンを形成する。

Kiyoとは

Kiyo は、Lam Research のコンダクタエッチング用プロダクトファミリーです。コンダクタエッチングは、トランジスタのゲートやシリコンのトレンチなど、デバイスの電気的に「能動的な」材料を形づくる工程で、わずかな寸法のばらつきが性能を左右します。

対称なチャンバー設計と静電チャック技術、独立したプロセス調整機能により、高い均一性と再現性を得ています。独自の Hydra 技術は前工程のパターニングばらつきを補正して CD 均一性を高め、Corvus はプラズマシースを調整してウェーハ外周のダイの歩留まりを上げます。

その場（in-situ）エッチング、連続プラズマ、ウェーハレスのオートクリーンにより、多層膜でも低欠陥・高生産性を保ちます。プラズマ ALE（原子層エッチング）にも対応し、原子スケールのばらつき制御を量産レベルのスループットで行えます。シリーズには Versys Kiyo、Kiyo45、Kiyo C／E／F／G シリーズがあります。

主な特長

•対称チャンバー・静電チャックによる高い均一性と再現性
•Hydra による CD 均一性の補正、Corvus によるウェーハエッジの歩留まり改善
•プラズマ ALE による原子スケールの制御
•アップグレードで世代をまたいで使える低 CoO 設計

主な仕様

方式	反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応
対象	コンダクタ（Si・ポリSi・メタルゲートなど）
主な技術	Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御）
シリーズ構成	Versys Kiyo／Kiyo45／Kiyo C・E・F・G シリーズ
主要用途	STI・ソースドレイン・High-k/メタルゲート・FinFET・3D NAND

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Lam ResearchKiyo®（コンダクタエッチング）	Applied MaterialsCentris® Sym3® Y Etch	東京エレクトロン（TEL）Tactras™	Plasma-Therm JapanVERSALINE® ICP
方式	反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応	プラズマエッチング（パルス RF 源・高コンダクタンスチャンバー）	反応性イオンエッチング（RIE）	ICP（誘導結合型プラズマ）エッチング、2 MHz 加熱 ICP 源
対象	コンダクタ（Si・ポリSi・メタルゲートなど）	コンダクタ・EUV パターニング	絶縁膜・コンダクタ	III-V・II-VI 族、Si 系、絶縁膜、金属、圧電材料など
主要用途	STI・ソースドレイン・High-k/メタルゲート・FinFET・3D NAND	先端メモリ・ファウンドリロジックの FinFET・GAA 形成	高アスペクト比エッチング・マスク／絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜	パワーデバイス・フォトニクス・無線・MEMS・先端パッケージ
主な技術	Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御）	独自コーティング・新型静電チャック・アクティブエッジ制御	—	—
対応ウェハ径	—	—	300 mm	50 ～ 200 mm（300 mm へ拡張可能）
チャンバー構成	—	—	最大 6 チャンバー（水平対向設計）	シングルウェーハロードロック（LL）／カセットクラスター（CX）