uGmni-200C 是在愛發科（ULVAC）uGmni 標準核心上搭載 PE-CVD 模組的設備。相較於托盤式設備，微粒更少，可實現高品質的沉積。
支援 27.12MHz 的高密度電漿製程，可沉積 SiH₄ 系的 SiO₂、SiNx、SiON、a-Si，以及 TEOS 系的 SiO₂ 膜。可用 NF₃＋Ar 電漿清潔腔體，支援最大 Φ200mm 的基板。
uGmni 核心也可組合濺鍍、蝕刻、灰化模組，用於功率元件、MEMS 感測器、VCSEL 等光學元件、高密度封裝、通訊元件的絕緣膜沉積。
uGmni-200C的特點與規格
愛發科（ULVAC）・PECVD（電漿 CVD）
在 uGmni 標準核心上搭載 PE-CVD 模組的設備。相較於托盤式，微粒更少，可進行高品質的沉積。
產品概要
主要規格
| 電漿 | 27.12 MHz 高密度電漿 |
|---|---|
| 膜種 | SiO₂・SiNx・SiON・a-Si・TEOS SiO₂ |
| 基板尺寸 | 最大 Φ200 mm |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
搭載於 uGmni 標準核心
低微粒
最大 Φ200mm
主要用途
- 通訊元件・功率元件的絕緣膜
製造商
愛發科（ULVAC）（總部：日本）
所屬設備分類
相關用語
同分類的其他機型
- Producer Black Diamond PECVD應用材料（Applied Materials）
- Producer BLOk PECVD應用材料（Applied Materials）
- Producer Celera PECVD應用材料（Applied Materials）
- Producer DARC PECVD應用材料（Applied Materials）
- Producer Onyx應用材料（Applied Materials）
- Producer Precision APF PECVD應用材料（Applied Materials）
- Producer Precision Selective Nitride PECVD應用材料（Applied Materials）
- XP8 DCM PECVDASM International
- XP8 VertosASM International
- SPTS Delta PECVD科磊（KLA）
- CC-200愛發科（ULVAC）
- CME愛發科（ULVAC）