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CONFERENCE

応物秋季(応用物理学会 秋季学術講演会)

応用物理学会が毎年9月に開く学術講演会。春季とあわせて年2回開かれる。

01開催概要


正式名称
The JSAP Autumn Meeting
主催
応用物理学会
次回の会期
未発表(例年9月頃)
開催地
日本
例年の開催
9月頃・日本
分野
デバイス・プロセス
格付け
国内の学会応用物理学会の学術講演会のため、国内の学会に分けています。春季とあわせて、国内の半導体研究の動きを知る場です。格付けの決め方
公式サイト
meeting.jsap.or.jp(2026/10/24 確認)

02応物秋季はどんな学会か


応用物理学会の秋季学術講演会は、毎年9月に開かれる国内の学術講演会です。春季学術講演会とあわせて年2回開かれます。

扱う分野は春季と同じで、半導体の材料・プロセス・デバイスの発表が多く、日本の大学・企業の最新の研究を知ることができます。

03注目の技術


応物秋季でよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • SiC(炭化シリコン)

    SiC(炭化ケイ素、Silicon Carbide)は、シリコン(Si)と炭素(C)で構成されるIV-IV族化合物半導体で、ワイドバンドギャップ(4H-SiCで3.26eV)・高い絶縁破壊電界(約3MV/cm)・高い熱伝導率(約5W/cm·K)・高い電子飽和速度を持つ優れたパワー半導体材料です。

  • GaN(窒化ガリウム)

    GaN(窒化ガリウム、Gallium Nitride)は、ガリウム(Ga)と窒素(N)で構成されるIII-V族化合物半導体です。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。