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CONFERENCE

応物春季 2027(応用物理学会 春季学術講演会)

応用物理学会が毎年3月に開く国内最大級の学術講演会。半導体の材料・デバイス・プロセスの発表が多い。

01開催概要


正式名称
The JSAP Spring Meeting
主催
応用物理学会
次回の会期
2027年3月16日〜3月19日(金)(開幕まであと139日)
開催地
東京・上智大学 四谷キャンパス
例年の開催
3月頃・日本
分野
デバイス・プロセス
格付け
国内の学会応用物理学会の学術講演会のため、国内の学会に分けています。発表の多くが日本語で、大学・企業の研究者が幅広く発表します。格付けの決め方
公式サイト
meeting.jsap.or.jp(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02投稿の日程


募集要項で発表されている締切と通知日です。

日付内容状況
2027年1月7日講演申込締切あと71日

03応物春季はどんな学会か


応用物理学会の春季学術講演会は、毎年3月に開かれる国内の学術講演会です。秋の学術講演会とあわせて年2回開かれ、発表の多くは日本語で行われます。

半導体の結晶成長、薄膜、プロセス、デバイス、計測など幅広い分野の発表があり、大学の研究室の学生の発表の場としても大きな役割を持ちます。

04注目の技術


応物春季でよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • SiC(炭化シリコン)

    SiC(炭化ケイ素、Silicon Carbide)は、シリコン(Si)と炭素(C)で構成されるIV-IV族化合物半導体で、ワイドバンドギャップ(4H-SiCで3.26eV)・高い絶縁破壊電界(約3MV/cm)・高い熱伝導率(約5W/cm·K)・高い電子飽和速度を持つ優れたパワー半導体材料です。

  • GaN(窒化ガリウム)

    GaN(窒化ガリウム、Gallium Nitride)は、ガリウム(Ga)と窒素(N)で構成されるIII-V族化合物半導体です。

05同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。