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CONFERENCE

SISPAD(半導体プロセス・デバイスシミュレーション国際会議)

応用物理学会・IEEE Electron Devices Society ほかが主催する、プロセスとデバイスのシミュレーション(TCAD)を扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
主催
応用物理学会・IEEE Electron Devices Society ほか
次回の会期
未発表(例年9月頃)
開催地
米国・欧州・アジアの持ち回り
例年の開催
9月頃・米国・欧州・アジアの持ち回り
分野
デバイス・プロセス
格付け
専門の国際会議プロセスとデバイスのシミュレーション(TCAD)という特定のテーマに絞って開かれている国際会議のため、専門の国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
sispad2026.jp(2026/10/24 確認)

02SISPADはどんな学会か


SISPADは、応用物理学会・IEEE Electron Devices Society ほかが主催する、プロセスとデバイスのシミュレーション(TCAD)を扱う国際会議です。2026年は9月 熊本(熊本城ホール)。例年9月ごろに開かれます。

製造プロセスとトランジスタの動作を計算で予測するシミュレーションの研究が発表されます。米国・欧州・アジアの持ち回りで開かれます。

03注目の技術


SISPADでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • 量子井戸

    量子井戸とは、バンドギャップの小さい半導体の薄い層を、バンドギャップの大きい半導体の層で上下から挟んだ構造です。

  • GAA(Gate-All-Around)

    GAA(Gate-All-Around)は、トランジスタのゲート電極がチャネル(電流路)を四方向(全周)から包囲する立体的なトランジスタ構造です。

  • FinFET

    FinFETとは、チャネル部分を薄い「フィン(ひれ)」状の突起として立体的に形成し、ゲート電極が三方向からチャネルを囲む立体型トランジスタ構造です。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。