CONFERENCE
SISC 2026(IEEE半導体界面スペシャリスト会議)
IEEE Electron Devices Societyが主催する、半導体と絶縁膜の界面を扱う国際会議。
01開催概要
- 正式名称
- IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 主催
- IEEE Electron Devices Society
- 次回の会期
- 2026年12月9日〜12月12日(土)(開幕まであと42日)
- 開催地
- サンディエゴ(米国)・Catamaran Resort Hotel
- 例年の開催
- 12月頃・米国
- 分野
- デバイス・プロセス
- 格付け
- 専門の国際会議半導体と絶縁膜の界面という特定のテーマに絞って開かれている国際会議のため、専門の国際会議としています。格付けの決め方
- 公式サイト
- www.ieeesisc.org(2026/10/24 確認)
02SISCはどんな学会か
SISCは、IEEE Electron Devices Societyが主催する、半導体と絶縁膜の界面を扱う国際会議です。2026年は12月9日から12月12日まで、サンディエゴ(米国)で開かれます。会場はCatamaran Resort Hotelです。
ゲート絶縁膜、high-k膜、界面の欠陥、新しい半導体の界面の研究を少人数で議論する会議です。IEDMの直後に開かれます。
03注目の技術
SISCでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。
- High-k誘電体
High-kゲート誘電体(High-k Gate Dielectric)は、従来のシリコン酸化膜(SiO₂、比誘電率k≈3.9)に代わり、より高い誘電率(k>10)を持つ材料をゲート絶縁膜として使用する技術です。
- ゲート酸化膜
ゲート酸化膜(ゲートさんかまく)とは、MOSFETのゲート電極とチャネル(半導体)の間に挟まれた絶縁膜のことです。
- 強誘電体ハフニウム酸化物(HZO)
強誘電体ハフニウム酸化物(Ferroelectric Hafnium Oxide)とは、酸化ハフニウム(HfO₂)に酸化ジルコニウム(ZrO₂)などをドープすることで生じる強誘電性を持つ薄膜材料で、一般にHZO(Hafnium Zirconium Oxide)と呼ばれます。
04同じ分野の学会
学会一覧へ →- 国際電子デバイス会議(IEDM)2026年12月12日〜・サンフランシスコ(米国)
- VLSIシンポジウム(VLSI)2027年6月20日〜・京都
- 固体素子・材料コンファレンス(SSDM)2027年9月7日〜・大阪
- 応用物理学会 春季学術講演会(応物春季)2027年3月16日〜・東京
- 応用物理学会 秋季学術講演会(応物秋季)例年9月頃
- 電子デバイス技術・製造会議(EDTM)2027年3月8日〜・福岡
- 原子層堆積国際会議・原子層エッチング国際ワークショップ(ALD/ALE)2027年6月20日〜・ドレスデン(ドイツ)
- 欧州固体エレクトロニクス研究会議(ESSERC)2027年9月6日〜・ヘルシンキ(フィンランド)
- 化合物半導体ウィーク(CSW)2027年6月15日〜・ヴェネツィア(イタリア)
- 窒化物半導体国際会議(ICNS)例年7月頃
- 窒化物半導体国際ワークショップ(IWN)2026年11月8日〜・熊本
- BiCMOS・化合物半導体集積回路技術シンポジウム(BCICTS)例年10月頃
- 集積回路科学技術会議(CSTIC)2027年3月21日〜・上海(中国)
- デバイス研究会議(DRC)2027年6月20日〜・ミネアポリス(米国)
- 電子材料会議(EMC)例年6月頃
- IC設計と技術国際会議(ICICDT)例年6月頃
- 分子線エピタキシー国際会議(ICMBE)例年7月頃
- 固体・集積回路技術国際会議(ICSICT)2026年10月27日〜・杭州(中国)
- InPと関連材料国際会議(IPRM)2027年6月15日〜・ヴェネツィア(イタリア)
- 半導体プロセス・デバイスシミュレーション国際会議(SISPAD)例年9月頃
- 先端半導体デバイス・マイクロシステム国際会議(ASDAM)例年10月頃
- アジア太平洋先端半導体デバイスワークショップ(AWAD)例年7月頃
- 国際半導体会議(ルーマニア)(CAS)例年10月頃
- 電子デバイスと固体回路国際会議(EDSSC)例年6月頃
- 電子材料シンポジウム(EMS)2027年10月13日〜・橿原(奈良)
- 政府向けマイクロ回路応用・重要技術会議(GOMACTech)2027年3月22日〜・パサデナ(米国)
- IEEE新興エレクトロニクス国際会議(ICEE)2026年12月19日〜・ベンガルール(インド)
- IEEEマイクロエレクトロニクス国際会議(IEEE ICM)2026年12月7日〜・サラワク(マレーシア)
- 電子情報通信学会 電子部品・材料研究会(CPM研究会)例年11月頃
- 電子情報通信学会 総合大会(信学総合大会)2027年3月9日〜・東京
- 電子情報通信学会 ソサイエティ大会(信学ソサイエティ大会)例年9月頃
- 半導体界面制御国際シンポジウム(ISCSI)例年11月頃
- 国際真空ナノエレクトロニクス会議(IVNC)例年7月頃
- 接合技術国際ワークショップ(IWJT)例年9月頃
- 半導体デバイス物理国際ワークショップ(IWPSD)例年12月頃
- 韓国半導体学術大会(KCS)2027年1月26日〜・江陵(韓国)
- VLSI技術・システム・応用国際シンポジウム(VLSI TSA)例年4月頃
※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。