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CONFERENCE

SISC 2026(IEEE半導体界面スペシャリスト会議)

IEEE Electron Devices Societyが主催する、半導体と絶縁膜の界面を扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
主催
IEEE Electron Devices Society
次回の会期
2026年12月9日〜12月12日(土)(開幕まであと42日)
開催地
サンディエゴ(米国)・Catamaran Resort Hotel
例年の開催
12月頃・米国
分野
デバイス・プロセス
格付け
専門の国際会議半導体と絶縁膜の界面という特定のテーマに絞って開かれている国際会議のため、専門の国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
www.ieeesisc.org(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02SISCはどんな学会か


SISCは、IEEE Electron Devices Societyが主催する、半導体と絶縁膜の界面を扱う国際会議です。2026年は12月9日から12月12日まで、サンディエゴ(米国)で開かれます。会場はCatamaran Resort Hotelです。

ゲート絶縁膜、high-k膜、界面の欠陥、新しい半導体の界面の研究を少人数で議論する会議です。IEDMの直後に開かれます。

03注目の技術


SISCでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • High-k誘電体

    High-kゲート誘電体(High-k Gate Dielectric)は、従来のシリコン酸化膜(SiO₂、比誘電率k≈3.9)に代わり、より高い誘電率(k>10)を持つ材料をゲート絶縁膜として使用する技術です。

  • ゲート酸化膜

    ゲート酸化膜(ゲートさんかまく)とは、MOSFETのゲート電極とチャネル(半導体)の間に挟まれた絶縁膜のことです。

  • 強誘電体ハフニウム酸化物(HZO)

    強誘電体ハフニウム酸化物(Ferroelectric Hafnium Oxide)とは、酸化ハフニウム(HfO₂)に酸化ジルコニウム(ZrO₂)などをドープすることで生じる強誘電性を持つ薄膜材料で、一般にHZO(Hafnium Zirconium Oxide)と呼ばれます。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。