H83／H84（拡散炉）

30 年以上の実績を持つ横型の拡散炉。200mm シリコンウェーハの拡散・熱酸化・アニールに使う。

H83／H84とは

H83／H84 は、アルバックの横型拡散炉です。30 年以上の実績を持つ信頼性の高い装置で、200mm シリコンウェーハの拡散、熱酸化、アニールなどの熱処理に使われます。

1 台で異なるプロセスを選べ、3 段・4 段の構成で設置スペースを節約できます。5 ゾーンのヒーターをそれぞれ独立して制御し、均熱性と安定性に優れた温度制御を行います。自社製の制御系で、簡単で信頼性の高い運転ができます。

パイロジェニック酸化、ウェット酸化、ドライ酸化、オキシ塩化リン（POCl₃）や三臭化ホウ素（BBr₃）を使うリン拡散・ボロン拡散、アニールなどの処理ができます。常用温度は 600〜1,200℃、均熱性は ±1.0℃ です。

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE-II	東京エレクトロン（TEL）TELINDY PLUS	東京エレクトロン（TEL）EVAROS™	東京エレクトロン（TEL）TELFORMULA™	東京エレクトロン（TEL）ALPHA-8SE™ i	ASMインターナショナルSONORA	ASMインターナショナルA400 DUO	ULVAC（アルバック）H83／H84（拡散炉）
方式	縦型大バッチ	バッチ式（縦型炉）	縦型バッチ式熱処理成膜	縦型バッチ式熱処理成膜（短 TAT）	縦型バッチ式熱処理成膜	—	バッチ式縦型炉（デュアル反応炉）	横型拡散炉（3 段／4 段構成）
主要用途	酸化膜・CVD膜の形成	酸化・拡散・バッチ成膜	ALD SiO₂・ALD SiN・Poly	CVD Si・SiN・SiO₂・High-k ALD・酸化・アニール	—	—	拡散・アニール・酸化・LPCVD（ポリシリコン・窒化膜・酸化膜）	—
対応ウェハ径	—	300 mm	—	—	150／200 mm	300 mm	200 mm 以下	—
生産性	従来機比最大 1.25 倍のロット処理	—	—	—	—	前世代機 A412 比最大 30% 向上（レシピ互換）	—	—
関連機種	AdvancedAce-II・VERTEX Revolution（200 mm）	TELFORMULA・ALPHA-8SE i	—	—	—	—	—	—
処理枚数	—	—	最大 200 枚（300mm）	—	最大 150 枚	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（10件）

対応プロセス	酸化・拡散・アニール（低温／高温）	—	—	—	—	—	—	—
最大ロード	—	125 枚	—	—	—	—	—	—
プロセス温度	—	RT ～ 1,100 °C	—	—	—	—	—	—
シリーズ構成	—	TELINDY PLUS／TELINDY PLUS IRad（プラズマALD）／EVAROS	—	—	—	—	—	—
特徴	—	—	—	高速昇降温ヒーター・完全石英面のリアクター・ドライガスクリーニング	—	—	—	—
バッチ処理枚数	—	—	—	—	—	最大 150 枚	—	—
常圧プロセス	—	—	—	—	—	拡散・不純物活性化・アニール・酸化	—	—
減圧プロセス	—	—	—	—	—	LPCVD（Poly-Si・SiN・SiO）／バッチALD	—	—
ウェハ径・処理枚数	—	—	—	—	—	—	—	〜200mm・50／125 枚
温度	—	—	—	—	—	—	—	常用 600〜1,200℃・均熱性 ±1.0℃（5 ゾーン独立制御）