EVAROS™
一度に 300mm ウェーハ 200 枚を処理できる TEL のバッチ式熱処理成膜装置。TELINDY PLUS 比でウェーハあたりの CO₂ 排出を約 25% 削減。
EVAROSとは
EVAROS は、東京エレクトロン(TEL)の 300mm ウェーハ対応のバッチ式熱処理成膜装置です。従来比で最大となる一度に 200 枚の製品処理が可能で、ウェーハ搬送時間の短縮と合わせて非常に高い生産性を実現します。
動特性を強化した新開発のマルチゾーン制御ヒーターで高い均熱性を得て、昇降温や温度の安定に必要な時間を大きく短縮しました。排気配管を大口径にしてコンダクタンスを高め、ハイエンドデバイスの ALD などで精度の高い成膜制御を可能にしています。
消費電力や冷却水・ガスの使用量を減らし、従来装置 TELINDY PLUS に比べてウェーハあたりの CO₂ 排出量を約 25% 削減します。ウェーハ搬送機の自動位置調整機能や、将来の装置自律化に向けた新しいシステムコントローラも搭載しています。対応用途は ALD SiO₂、ALD SiN、Poly で、今後 High-k などにも広げる予定です。
主な特長
- •一度に最大 200 枚を処理
- •新開発のマルチゾーン制御ヒーター
- •CO₂ 排出を約 25% 削減
主な仕様
| 方式 | 縦型バッチ式熱処理成膜 |
|---|---|
| 処理枚数 | 最大 200 枚(300mm) |
| 主要用途 | ALD SiO₂・ALD SiN・Poly |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Kokusai Electric(国際電気)QUIXACE-II | 東京エレクトロン(TEL)TELINDY PLUS | 東京エレクトロン(TEL)EVAROS™ | 東京エレクトロン(TEL)TELFORMULA™ | 東京エレクトロン(TEL)ALPHA-8SE™ i | ASMインターナショナルSONORA | ASMインターナショナルA400 DUO | ULVAC(アルバック)H83/H84(拡散炉) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | 縦型大バッチ | バッチ式(縦型炉) | 縦型バッチ式熱処理成膜 | 縦型バッチ式熱処理成膜(短 TAT) | 縦型バッチ式熱処理成膜 | — | バッチ式縦型炉(デュアル反応炉) | 横型拡散炉(3 段/4 段構成) |
| 主要用途 | 酸化膜・CVD膜の形成 | 酸化・拡散・バッチ成膜 | ALD SiO₂・ALD SiN・Poly | CVD Si・SiN・SiO₂・High-k ALD・酸化・アニール | — | — | 拡散・アニール・酸化・LPCVD(ポリシリコン・窒化膜・酸化膜) | — |
| 対応ウェハ径 | — | 300 mm | — | — | 150/200 mm | 300 mm | 200 mm 以下 | — |
| 生産性 | 従来機比 最大 1.25 倍のロット処理 | — | — | — | — | 前世代機 A412 比 最大 30% 向上(レシピ互換) | — | — |
| 関連機種 | AdvancedAce-II・VERTEX Revolution(200 mm) | TELFORMULA・ALPHA-8SE i | — | — | — | — | — | — |
| 処理枚数 | — | — | 最大 200 枚(300mm) | — | 最大 150 枚 | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目(10件)
| 対応プロセス | 酸化・拡散・アニール(低温/高温) | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最大ロード | — | 125 枚 | — | — | — | — | — | — |
| プロセス温度 | — | RT ~ 1,100 °C | — | — | — | — | — | — |
| シリーズ構成 | — | TELINDY PLUS/TELINDY PLUS IRad(プラズマALD)/EVAROS | — | — | — | — | — | — |
| 特徴 | — | — | — | 高速昇降温ヒーター・完全石英面のリアクター・ドライガスクリーニング | — | — | — | — |
| バッチ処理枚数 | — | — | — | — | — | 最大 150 枚 | — | — |
| 常圧プロセス | — | — | — | — | — | 拡散・不純物活性化・アニール・酸化 | — | — |
| 減圧プロセス | — | — | — | — | — | LPCVD(Poly-Si・SiN・SiO)/バッチALD | — | — |
| ウェハ径・処理枚数 | — | — | — | — | — | — | — | 〜200mm・50/125 枚 |
| 温度 | — | — | — | — | — | — | — | 常用 600〜1,200℃・均熱性 ±1.0℃(5 ゾーン独立制御) |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •ALD SiO₂・SiN
- •ポリシリコン成膜
掲載カテゴリ
EVAROSは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン(TEL)
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
拡散炉のほかの製品
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07